PSMN008-75B 时间：2025/9/15 3:15:22 阅读：6

PSMN008-75B 是一款由 Nexperia（原恩智浦半导体的小信号和功率MOSFET业务）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的功率转换应用，具备低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性。其典型应用场景包括DC-DC转换器、同步整流、负载开关、电池管理系统等。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：150A（在Tc=25°C）
　　最大漏源电压（VDS）：75V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大8mΩ（在VGS=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：典型值60nC
　　功耗（Ptot）：300W
　　封装形式：PowerSO-10

特性

PSMN008-75B 的核心优势在于其超低导通电阻，使其在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。同时，该器件具备较高的耐压能力（75V），适用于多种中压功率转换电路。
　　该MOSFET采用先进的Trench沟槽技术，确保了在高电流下的稳定导通性能，并通过优化的结构设计提高了热传导效率，从而增强器件的热稳定性与可靠性。
　　此外，PSMN008-75B 还具有较低的栅极电荷（Qg），这有助于降低开关损耗，提高开关频率下的整体效率，使其适用于高频开关电源和同步整流器。
　　其PowerSO-10封装不仅体积紧凑，便于PCB布局，而且具备良好的散热性能，适合高密度电源设计。同时，该封装形式符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺。
　　在保护特性方面，该器件具备良好的抗雪崩能力，能够在极端工作条件下提供一定的过载保护，提升系统安全性。

应用

PSMN008-75B 适用于多种功率电子系统，包括但不限于：
　　1. 同步整流器：在反激、正激、LLC等拓扑结构的开关电源中，作为高效同步整流元件使用，显著提升整机效率。
　　2. DC-DC转换器：广泛应用于服务器电源、通信电源、工业电源等需要高效升压或降压转换的场合。
　　3. 负载开关：用于控制高电流负载的接通与断开，如在服务器、存储设备、工业控制设备中作为电子开关使用。
　　4. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电回路的控制与保护，适用于电动工具、储能系统和新能源汽车等领域。
　　5. 高频电源转换：由于其低Qg和快速开关特性，适用于高频电源设计，如无线充电、感应加热等。
　　6. 电机控制：用于H桥驱动、电机调速与控制电路中，提升系统的动态响应与效率。