时间：2025/6/3 14:27:46
阅读：3
RUC002N05T116 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的增强型功率晶体管，采用常关型设计。该器件具有极低的导通电阻和快速开关特性，非常适合高频、高效能的应用场景。其高电子迁移率晶体管 (HEMT) 结构使得它在高频开关应用中表现出色。RUC002N05T116 的额定耐压为 500V，并且支持高达 2A 的连续漏极电流。这种 GaN 器件能够显著降低系统能耗，同时缩小整体解决方案的尺寸。
该产品广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、逆变器、快充适配器等需要高效率和小型化的领域。
额定电压：500V
连续漏极电流：2A
导通电阻：2.5Ω
栅极电荷：35nC
最大工作结温：175°C
封装类型：TO-252
RUC002N05T116 具备以下主要特性：
1. 高耐压能力（500V），适用于高压环境中的开关操作。
2. 极低的导通电阻（2.5Ω），可有效减少导通损耗。
3. 快速开关速度，得益于低栅极电荷（35nC）设计，从而实现更高的工作频率和更低的开关损耗。
4. 支持高达 175°C 的工作结温，确保器件在恶劣环境下仍能可靠运行。
5. 基于先进的 GaN 技术，与传统硅基 MOSFET 相比，具备更高的效率和更小的体积。
6. 增强型结构，确保器件在正常工作时保持关闭状态，只有当栅极施加正电压时才开启。
RUC002N05T116 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 高效电机驱动器和逆变器，用于工业自动化及消费类电子产品。
3. USB-PD 快速充电器和其他便携式设备电源适配器。
4. 太阳能微型逆变器以及储能系统的功率转换模块。
5. LED 驱动器和高频谐振电路。
这款 GaN 晶体管凭借其卓越的性能，特别适合对能效和尺寸有严格要求的应用场合。
RUC003N06L116, RUG002N05T116
