时间：2025/6/11 11:24:56
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GA1210A561GXBAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器和电机驱动等领域。该芯片采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，能够显著提高系统的效率和可靠性。
该型号的功率MOSFET芯片通常用于需要高效率和低功耗的应用场景，例如笔记本电脑适配器、服务器电源、通信设备电源等。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：120V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ (典型值，Vgs=10V)
总栅极电荷(Qg)：45nC
输入电容(Ciss)：2800pF
开关速度：快速
封装形式：TO-247
GA1210A561GXBAR31G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少传导损耗并提升整体系统效率。
2. 快速的开关速度和较小的栅极电荷 Qg，确保在高频应用中保持高效性能。
3. 较高的雪崩击穿能量能力，增强了器件的鲁棒性和抗干扰能力。
4. 高电流处理能力和坚固耐用的设计，适用于各种严苛的工作环境。
5. 优化的热阻设计，有助于改善散热性能，延长使用寿命。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品的严格要求。
这款芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
2. DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 逆变器电路中的功率输出级。
4. 各类工业设备和家用电器中的电机驱动控制。
5. 新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电设备中的功率管理部分。
6. 通信电源和不间断电源(UPS)系统中的关键功率元件。
IRFZ44N, STP12NK6LL, FDP15U60A
