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H5TQ1G83AFR-G7C-F 发布时间 时间:2025/9/1 22:34:01 查看 阅读:7

H5TQ1G83AFR-G7C-F 是一款由SK Hynix(海力士)公司生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于移动型低功耗DRAM(LPDRAM)系列,广泛用于需要高效能与低功耗特性的便携式设备中。该型号具有1Gb(Gigabit)的存储容量,采用FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装形式,适用于移动电话、智能穿戴设备、平板电脑等消费类电子产品。

参数

容量:1Gb
  组织结构:x8/x16
  工作电压:1.7V - 3.6V
  接口类型:异步
  封装类型:FBGA
  引脚数:54
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

H5TQ1G83AFR-G7C-F 是一款高性能低功耗的DRAM芯片,具备优异的能耗管理能力,适合需要延长电池寿命的便携式应用。其异步接口设计简化了系统设计,降低了功耗,同时提供了灵活的时序控制。该芯片支持多种刷新模式,包括自动刷新和自刷新,以适应不同的工作环境和应用场景。此外,该型号具有良好的稳定性和可靠性,在极端温度条件下仍能保持稳定运行,确保设备在复杂环境下正常工作。
  该芯片还支持多种电源管理模式,包括深度掉电模式和待机模式,进一步优化了系统的整体功耗表现。FBGA封装形式不仅有助于提高散热性能,还能节省PCB空间,提升设备的集成度。H5TQ1G83AFR-G7C-F 还具备良好的兼容性,可与多种主控芯片配合使用,便于工程师在不同设计方案中灵活应用。

应用

H5TQ1G83AFR-G7C-F 主要应用于需要高效能与低功耗存储解决方案的嵌入式系统和便携式电子产品,如智能手机、智能手表、平板电脑、可穿戴设备、工业控制设备以及物联网(IoT)设备等。由于其低电压操作特性和多模式电源管理功能,该芯片特别适合对功耗敏感的应用场景。此外,它也可用于需要临时数据存储的图像处理模块、数据采集设备以及通信模块中,为系统提供可靠的内存支持。

替代型号

AS4C1M16A2B4-6A, MT48LC16M1A2B4-6A

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