型号：RUC002N05
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：50V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：70A
　　脉冲漏极电流（IDM）：280A
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 10V）：2.2mΩ
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 4.5V）：2.8mθ
　　栅极电荷（Qg typ）：45nC
　　输入电容（Ciss typ）：3500pF
　　开启延迟时间（td(on)）：15ns
　　关断延迟时间（td(off)）：30ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8L

RUC002N05具备极低的导通电阻，典型值在VGS=10V时仅为2.2mΩ，这显著降低了在大电流条件下的导通损耗，提高了整体系统的能效表现。这一特性使其特别适用于高电流密度的同步降压转换器和负载开关应用，在这些场景中，减少功率损耗是提升系统效率的关键因素。
　　该器件采用了先进的沟槽栅极技术，不仅优化了单位面积下的电流承载能力，还有效减小了芯片尺寸，从而提升了功率密度。同时，这种结构有助于降低米勒电容效应，增强器件在高频开关环境下的抗干扰能力，避免因寄生参数引起的误触发或振荡问题。
　　RUC002N05拥有较低的栅极电荷（Qg），典型值为45nC，这意味着驱动电路所需的能量更少，有利于简化栅极驱动设计并降低驱动功耗，尤其适合用于高频工作的电源拓扑中，如多相VRM或POL（Point-of-Load）转换器。
　　其封装采用PowerPAK SO-8L，具备优良的热传导性能和电气连接可靠性，底部带有裸露焊盘，可直接连接至PCB地层进行高效散热，确保在高负载条件下仍能维持较低的工作温度。此外，该封装符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺。
　　器件具有宽泛的工作结温范围（-55°C 至 +175°C），展现出卓越的环境适应性和长期运行稳定性，适用于严苛工业环境或车载电子系统中。内置体二极管具有较快的反向恢复特性，进一步增强了其在桥式电路或再生能量回馈路径中的适用性。

RUC002N05广泛应用于各类需要高效、高频开关性能的电力电子系统中。常见于服务器和通信设备中的多相电压调节模块（VRM），用于CPU或GPU的核心供电，凭借其低RDS(on)和快速响应能力，能够满足动态负载变化下的瞬态响应要求。
　　在DC-DC降压转换器特别是同步整流拓扑中，RUC002N05常被用作下管（low-side MOSFET），利用其极低的导通电阻来最大限度地减少功率损耗，提高转换效率，尤其在高电流输出的应用中优势明显。
　　该器件也适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，以及电动工具、无人机、便携式储能设备中的功率开关模块，提供可靠的通断控制和过流保护能力。
　　在电机驱动领域，RUC002N05可用于H桥或半桥拓扑结构中，驱动直流电机或步进电机，其快速开关特性和良好热性能保障了长时间运行的稳定性。
　　此外，它还可用于热插拔控制器、电源分配单元（PDU）、LED驱动电源和各类工业自动化控制系统中，作为主开关或辅助开关元件，发挥其高性能和高可靠性的优势。

RUK101N05TR
　　RUS004N05
　　IPD95R025P7