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BZV55-B18,115 发布时间 时间:2025/9/15 0:09:42 查看 阅读:18

BZV55-B18,115 是一款由 Nexperia(原 Philips Semiconductor)生产的表面贴装齐纳二极管(稳压二极管),属于 BZV55 系列。该器件专为中等功率稳压应用设计,具有较高的稳定性和可靠性,广泛用于电源、电压参考、保护电路以及各种需要精密电压调节的场合。该型号的齐纳电压标称值为 18V,最大耗散功率为 300mW,采用 SOD-123 封装,适用于自动化贴片工艺和高密度 PCB 设计。

参数

类型:齐纳二极管(稳压二极管)
  封装:SOD-123
  最大耗散功率(Ptot):300mW
  齐纳电压(Vz):18V(在 Izt = 5mA 时)
  测试电流(Izt):5mA
  最大齐纳电流(Izmax):16.6mA
  最大反向漏电流(Ir):100nA(在 Vr = 12V 时)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C

特性

BZV55-B18,115 采用先进的平面钝化技术,确保了稳定的电压特性和良好的长期可靠性。该器件具有较低的动态电阻(Rz),有助于在负载变化时维持输出电压的稳定。其SOD-123封装形式体积小巧,适合高密度PCB布局和自动化生产流程。此外,该齐纳二极管具备较宽的工作温度范围,适用于各种工业和汽车电子应用环境。
  该系列二极管的制造过程严格控制,具有良好的批次一致性,适合用于精密电压参考设计。其表面贴装特性也使得热管理和焊接可靠性更高,符合RoHS环保标准,适用于现代电子产品对无铅工艺的要求。

应用

BZV55-B18,115 主要用于以下应用场景:电源管理电路中的电压调节与参考、过压保护电路、电压检测电路、模拟电路中的基准电压源、传感器信号调节电路、汽车电子系统中的稳压与保护、工业控制系统中的精密电压参考等。由于其良好的稳定性和小型化封装,特别适合用于便携式设备和高密度电子系统中。

替代型号

BZV55C18-TP, BZV55-B18-G, BZX84C18LT1G

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BZV55-B18,115参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)18V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电50nA @ 12.6V
  • 容差±2%
  • 功率 - 最大500mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)45 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-80C
  • 供应商设备封装LLDS; MiniMelf
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-65°C ~ 200°C
  • 其它名称568-6244-6