RU60D5HCGTR 时间：2025/6/7 14:45:07 阅读：5

RU60D5HCGTR 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于高效率开关电源、电机驱动以及负载开关等应用。该芯片采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够在高频工作条件下保持高效性能。
　　这款器件适合用于需要低损耗和高可靠性的电路设计中，能够承受较高的电压和电流，并提供稳定的输出特性。

参数

类型：MOSFET
　　封装：TO-220
　　Vds（漏源极耐压）：60V
　　Rds(on)（导通电阻）：4.5mΩ
　　Id（连续漏极电流）：100A
　　f（工作频率）：最高支持 1MHz
　　栅极电荷：38nC
　　功耗：230W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可显著降低导通损耗，提升整体效率。
　　2. 快速开关速度，适用于高频开关应用。
　　3. 高电流承载能力，确保在大负载条件下稳定运行。
　　4. 具备优异的热稳定性，在高温环境下仍能保持高性能。
　　5. 内置保护功能，如过流保护和短路保护，提高系统的可靠性。
　　6. 小型化封装设计，便于 PCB 布局和安装。
　　这些特性使得 RU60D5HCGTR 成为工业控制、汽车电子和消费类电子产品中的理想选择。

应用

1. 开关电源 (SMPS)，如适配器、充电器和 DC-DC 转换器。
　　2. 电机驱动，用于无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机控制。
　　3. 工业自动化设备中的负载开关和功率管理模块。
　　4. 汽车电子系统，例如电动助力转向 (EPS) 和制动系统。
　　5. 高效能源转换器和逆变器。
　　由于其出色的电气性能和可靠性，RU60D5HCGTR 在多种复杂环境中表现出色。