RU1HE3D 时间：2025/12/25 13:42:21 阅读：14

RU1HE3D是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的P沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及电池供电设备中的高效率开关电路。该器件采用紧凑型封装，适用于对空间要求较高的便携式电子设备。作为一款增强型MOSFET，RU1HE3D在栅极施加负电压时导通，适合用于低侧或高侧开关配置，尤其在需要简化驱动电路设计的应用中表现出色。其低导通电阻和快速开关特性有助于降低功耗并提高系统整体能效。
　　该器件的封装形式为UMT3（SOT-723），是一种超小型表面贴装封装，非常适合高密度PCB布局。由于其优异的热稳定性和可靠性，RU1HE3D被广泛用于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及工业控制模块等。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗静电能力（ESD保护），增强了在实际生产与使用环境中的耐用性。

参数

型号：RU1HE3D
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：P-Channel MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：-20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：-1.6A（@ Vgs = -4.5V）
　　脉冲漏极电流（Idm）：-3.2A
　　导通电阻 Rds(on)：38mΩ（@ Vgs = -4.5V）
　　导通电阻 Rds(on)：48mΩ（@ Vgs = -2.5V）
　　阈值电压（Vth）：-0.6V ~ -1.0V
　　输入电容（Ciss）：140pF @ Vds=10V
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：UMT3 (SOT-723)
　　功率耗散（Pd）：200mW

特性

RU1HE3D具备出色的导通性能和开关响应速度，其低Rds(on)特性显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了电源系统的转换效率。在轻载或待机模式下，该器件能够有效减少热量积聚，有助于提升终端产品的热管理表现。其P沟道结构使得在高边开关应用中无需额外的电荷泵电路即可实现负载断开控制，简化了电源设计复杂度并节省外围元件成本。
　　该MOSFET具有较宽的工作温度范围（-55°C至+150°C），确保其在恶劣环境条件下仍能稳定运行，适用于工业级和汽车电子中的严苛应用场景。同时，器件内部优化的单元结构设计提升了雪崩耐受能力和抗浪涌电流能力，在突发短路或电压瞬变情况下表现出更强的鲁棒性。此外，SOT-723封装不仅体积小巧，还具备良好的散热性能，通过PCB焊盘可实现有效的热传导路径。
　　RU1HE3D的栅极驱动电压兼容性强，支持常见的3.3V和5V逻辑电平控制，便于与微控制器、电源管理IC直接接口而无需电平转换。其较低的输入电容（Ciss）也减少了驱动电路的负载，进一步降低了动态功耗。综合来看，这款MOSFET在尺寸、性能与可靠性之间实现了良好平衡，是现代高效能小型化电子系统中理想的功率开关选择。

应用

常用于便携式电子设备中的电源开关、电池隔离、负载切换和反向电流阻断；也可作为同步整流器的一部分应用于DC-DC降压变换器中以提升效率；适用于各类低电压、中等电流的开关电源模块、USB电源控制、LED背光驱动电路以及工业传感器供电管理单元；由于其小封装特性，特别适合智能手机、TWS耳机、智能手表和其他空间受限的移动设备中进行电源路径管理。