P5N90 时间：2025/7/23 9:14:24 阅读：5

P5N90 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率开关电路中。该器件具有高耐压、低导通电阻以及良好的热稳定性和可靠性，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动器和各种电源管理应用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：900V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：5A
　　最大导通电阻（RDS(on)）：2.5Ω @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-251、TO-252 等

特性

P5N90 MOSFET 采用先进的平面工艺制造，具有优异的开关性能和低导通损耗。其高耐压能力（900V）使其特别适用于高电压应用场景，如开关电源、LED 照明驱动和电机控制电路。
　　该器件的栅极驱动电压范围宽（最高可达 ±30V），提供了良好的驱动灵活性和稳定性。此外，P5N90 的导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
　　其封装形式多样，常见的 TO-220 封装具备良好的散热性能，适合中高功率应用。该器件还具有良好的抗雪崩能力和过热保护特性，增强了在恶劣工作环境下的可靠性和耐用性。
　　在高频开关应用中，P5N90 表现出较小的开关损耗，适用于高频 DC-DC 转换器和逆变器设计。其快速恢复二极管特性也使得在感性负载切换时能够有效抑制电压尖峰。

应用

P5N90 主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器件。
　　2. LED 照明驱动电路中的功率开关。
　　3. 电机驱动器和马达控制电路。
　　4. AC-DC 转换器和反激式电源拓扑。
　　5. 负载开关、电池管理系统（BMS）和工业自动化控制设备。
　　6. 高压 DC-DC 转换器和 UPS（不间断电源）系统。