时间：2025/5/23 4:34:00
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RTR040N03 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件通常用于功率管理、开关电源、DC-DC 转换器以及负载开关等应用中。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合需要高效能和低损耗的应用场景。
RTR040N03 使用 TO-252 (DPAK) 封装，这种封装形式提供了良好的散热性能和易于焊接的特点。同时，它具备较高的雪崩击穿能力和抗静电能力，能够适应严苛的工作环境。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：6mΩ
栅极电荷：11nC
总电容：970pF
功耗：1.15W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
RTR040N03 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用。
3. 高雪崩击穿能量能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 具备 ESD 保护功能，提高了可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅。
6. 热稳定性良好，能够在宽温度范围内正常工作。
RTR040N03 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（Switching Power Supply）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动控制
4. 负载开关
5. 过流保护电路
6. 工业自动化设备中的功率转换模块
7. 汽车电子系统中的电源管理
8. 可再生能源逆变器中的功率级组件
RTR040N03L, RFP040N03LD, FDP040N03L
