BUK6D38-30EX是一款由NXP Semiconductors生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及其他高效率功率转换系统中。该器件采用先进的TrenchMOS技术,具有低导通电阻、高电流处理能力和优异的热性能。其封装形式为DPAK(TO-252),适合表面贴装工艺,适用于工业和汽车电子应用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):60A(在Tc=25°C)
功耗(Pd):160W
导通电阻(Rds(on)):最大5.3mΩ(在Vgs=10V时)
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:DPAK(TO-252)
BUK6D38-30EX具备多项优异特性,使其在高功率应用中表现出色。
首先,该MOSFET采用先进的TrenchMOS技术,显著降低了导通电阻(Rds(on)),从而减少了导通损耗,提高了整体能效。在Vgs=10V时,其Rds(on)最大仅为5.3mΩ,非常适合高电流应用。
其次,该器件的连续漏极电流额定值高达60A,在合适的散热条件下可满足大功率负载的需求。其漏源电压额定值为30V,适用于常见的低压功率转换系统,如DC-DC转换器、电池管理系统和电机驱动电路。
此外,BUK6D38-30EX具有良好的热稳定性和高功耗能力(160W),能够在高温环境下可靠运行。其宽广的工作温度范围(-55°C至175°C)也使其适用于严苛的工业和汽车环境。
封装方面,该器件采用DPAK(TO-252)封装,支持表面贴装工艺,有助于简化PCB设计并提高生产效率。同时,该封装具备良好的散热性能,有助于降低系统整体温度。
综上所述,BUK6D38-30EX凭借其低导通电阻、高电流能力、优异的热性能和适用于表面贴装的封装设计,在高性能功率电子系统中具有广泛的应用前景。
BUK6D38-30EX广泛应用于多种功率电子系统中,包括但不限于以下领域:
1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等,以提高能效和降低功耗。
2. 电机控制:适用于无刷直流电机(BLDC)驱动、伺服电机控制以及电动工具中的功率开关。
3. 电池管理系统:可用于电池充放电控制、电池保护电路及电池均衡电路。
4. 汽车电子:包括车载充电器(OBC)、电动助力转向系统(EPS)、起停系统、LED车灯驱动等应用。
5. 工业自动化:用于PLC中的高边/低边开关、继电器替代、电源分配系统等。
6. 太阳能逆变器与储能系统:作为功率开关元件,提高系统转换效率并减少发热。
其高电流能力和良好的热稳定性,使其在需要高效能、高可靠性的功率系统中成为理想选择。
SiR340DP-T1-GE3, BSC060N03MS, FDS6680, IPB060N04N, FDMS86180