时间：2025/5/23 1:21:14
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RTQ2130MAGQW-QT 是一款高性能的 N 沣道开关 MOSFET，采用先进的制程技术制造。该器件具有极低的导通电阻和出色的开关性能，适用于高效率、高密度的电源管理应用。
该芯片通常被用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等场景，能够有效降低功耗并提升系统效率。
类型：N 沓道 MOSFET
封装：TO-252 (DPAK)
最大漏源电压(VDS)：30V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：42A
导通电阻(RDS(on))：1.3mΩ
栅极电荷(Qg)：37nC
总功耗(PD)：384W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
RTQ2130MAGQW-QT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，仅为 1.3mΩ，可显著减少传导损耗。
2. 高电流处理能力，连续漏极电流高达 42A，适合大功率应用。
3. 快速开关性能，栅极电荷低至 37nC，有助于降低开关损耗。
4. 耐用性强，工作温度范围宽广（-55℃ 至 175℃），适应恶劣环境。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 封装形式为 TO-252 (DPAK)，易于安装并提供良好的散热性能。
RTQ2130MAGQW-QT 广泛应用于以下领域：
1. DC-DC 转换器中的功率级开关。
2. 负载开关，用于快速切换电路状态。
3. 电机驱动器中的功率控制元件。
4. 工业设备中的电源管理系统。
5. 汽车电子中的高效功率转换模块。
6. 各类便携式设备中的电池管理单元。
RTQ2130MAHQQW-QT, IRF2130, FDP5800
