时间：2025/9/12 11:25:57
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KGF15N120KDA是一款由东芝（Toshiba）生产的高电压、高电流N沟道功率MOSFET，广泛应用于高功率开关电源、DC-DC转换器、电机控制和各种工业设备中。该MOSFET具有较高的耐压能力和良好的导通性能，适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：1200V
连续漏极电流（Id）：15A
栅极电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：约0.45Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
功率耗散（Pd）：150W
KGF15N120KDA具备多项优异的电气和热性能，使其在高功率应用中表现出色。其高耐压能力（1200V）使其适用于高电压系统，如高压电源和电机驱动器。该器件的低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性和良好的散热能力，能够在高功率工作条件下保持稳定运行。
该MOSFET还具有快速开关特性，能够支持高频操作，适用于需要快速响应的开关电路。其栅极驱动电压范围宽（±30V），提高了在不同驱动电路中的适用性。KGF15N120KDA还具有良好的短路耐受能力，能够在异常工况下提供一定的保护功能，增强系统的可靠性。
采用TO-247封装形式，不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在散热片上，适用于各种高功率应用场合。
KGF15N120KDA广泛应用于多种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、工业自动化设备以及高电压测试设备等。由于其优异的导通性能和高耐压能力，该器件特别适合用于高频、高效率的电源转换系统。此外，它也可用于电池管理系统、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等新能源应用中。
KGF15N120KD、TK15N120K、TK15N120K3、TK15N120K4、TK15N120KH1
