时间：2025/4/30 19:19:20
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STD2HNK60Z是STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247封装形式，适用于需要高电流和高效率开关的场景。它具有较低的导通电阻和较高的雪崩击穿能力，能够有效减少功率损耗并提高系统的整体效率。
这款MOSFET广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他工业和消费类电子设备中。通过优化设计，该芯片在高频工作条件下依然能保持出色的性能。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：13A
导通电阻：2.8Ω
栅极电荷：50nC
总耗散功率：225W
工作结温范围：-55℃至+175℃
STD2HNK60Z具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，其漏源电压可高达600伏特，适合高压应用环境。
2. 低导通电阻，在高电流条件下可以有效降低功率损耗。
3. 高速开关性能，得益于较小的栅极电荷，确保了快速开启与关闭操作。
4. 良好的热稳定性，即使在极端温度范围内也能稳定运行。
5. 强大的雪崩击穿能力和鲁棒性，提升了器件在异常条件下的可靠性。
该芯片适用于多种应用场景，包括但不限于：
1. 开关模式电源(SMPS)，如适配器和充电器。
2. 各类电机驱动电路，例如步进电机或直流无刷电机控制。
3. DC-DC转换器，用于电压调节和稳压。
4. 逆变器及太阳能系统中的功率管理部分。
5. 工业自动化设备中的功率开关组件。
IRFP460,
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