时间：2025/5/24 11:56:47
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RTQ045N03TR是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于各种功率转换和电机驱动应用。RTQ045N03TR的工作电压范围为-0.3V至30V，能够承受较高的瞬态电压，同时提供可靠的保护功能。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：45A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷：67nC
输入电容：1280pF
开关时间（开通+关断）：89ns
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-247
RTQ045N03TR具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 高电流处理能力，适合大功率应用环境。
3. 快速开关速度，降低开关损耗并支持高频操作。
4. 优秀的热稳定性和可靠性，能够在极端温度条件下正常运行。
5. 小型化设计，便于集成到紧凑型电路中。
6. 符合RoHS标准，环保且安全。
RTQ045N03TR广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换模块。
2. DC-DC转换器和逆变器的核心元件。
3. 各类电机驱动系统，包括工业设备和消费电子产品。
4. 负载切换和电池保护电路。
5. 汽车电子系统的功率管理单元。
6. 光伏逆变器和其他可再生能源相关设备。
RTQ040N03T, IRF3205, FDP045N03L
