时间：2025/6/9 14:56:29
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DMN2004DMK 是一款来自 Diodes Incorporated 的 N 沃特 (N-Channel) 超级结功率 MOSFET。该器件采用 DPAK 封装，具有高效率和低导通电阻的特点，适用于各种开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用。超级结技术使得 DMN2004DMK 在高频工作条件下仍能保持较低的功耗和较高的热稳定性。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：4A
导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω
栅极电荷：19nC
输入电容：1050pF
总功耗：14W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
DMN2004DMK 使用了超级结技术，显著降低了导通电阻，从而提高了效率并减少了功率损耗。
该器件支持快速开关，能够有效减少开关损耗，并在高频应用中表现优异。
其封装形式为 DPAK，有助于提升散热性能，同时适合表面贴装工艺。
具备高雪崩能力，能够在过载或短路情况下提供额外的保护。
DMN2004DMK 具有极低的反向恢复电荷 (Qrr)，这使其非常适合硬开关应用，可减少振荡和噪声问题。
DMN2004DMK 广泛应用于开关电源 (SMPS)、DC-DC 转换器、电机驱动、工业控制和汽车电子等领域。
由于其高压和高效特性，这款 MOSFET 特别适合需要处理高电压和中等电流的应用场景，例如 LED 驱动电路、太阳能逆变器和电池管理系统 (BMS)。
此外，它也适用于需要频繁开断操作的负载切换场合，如电磁阀和继电器驱动。
DMN2004D, IRFB4010, FDP067N06L
