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AU01-12 发布时间 时间:2025/9/6 22:23:56 查看 阅读:14

AU01-12 是一款常见的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)功率晶体管,主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的硅技术,具有低导通电阻和高开关效率的特点,适用于各类电源管理、电机控制和逆变器电路。AU01-12属于N沟道增强型MOSFET,具有较高的电流承载能力和热稳定性,适用于工业自动化、汽车电子和消费类电子设备中的功率控制部分。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):1200V
  最大栅源电压(Vgs):±30V
  最大连续漏极电流(Id):12A
  导通电阻(Rds(on)):≤0.45Ω
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-247

特性

AU01-12 MOSFET采用了先进的平面硅技术,具备低导通电阻(Rds(on))和高耐压能力,确保在高功率应用中实现较低的导通损耗和高效的开关性能。该器件的最大漏源电压可达1200V,适用于高压电源转换和电机驱动等场景。其最大连续漏极电流为12A,能够在较高负载条件下稳定工作。
  此外,AU01-12的栅源电压范围为±30V,提供了较好的栅极控制能力,同时具备良好的抗静电能力和热稳定性。其TO-247封装形式有助于快速散热,提高器件在高温环境下的可靠性。该MOSFET还具有较低的开关时间,适合高频开关应用,例如DC-DC转换器、逆变器和电源管理模块。

应用

AU01-12广泛应用于高压功率开关电路中,例如工业自动化控制系统的电机驱动器、不间断电源(UPS)、逆变器、高压直流电源转换器以及新能源汽车的电力管理系统。该器件也常见于各种高功率LED照明驱动、感应加热设备和智能家电的电源控制模块中。在这些应用中,AU01-12凭借其高耐压、低导通电阻和良好的热管理能力,能够有效提升系统的整体效率和稳定性。

替代型号

IXFH12N120, IRGPC40K, FGA25N120AND

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AU01-12参数

  • Typical Voltage Temperature Coefficient0.074%/°C
  • 安装类型通孔
  • 宽度5mm
  • 尺寸7 x 5 x 5mm
  • 引脚数目2
  • 最低工作温度-40 °C
  • 最大功率耗散2500 mW
  • 最大齐纳阻抗
  • 最高工作温度+165 °C
  • 测试电流65mA
  • 配置
  • 长度7mm
  • 额定齐纳电压12.05V
  • 高度5mm
  • 齐纳电压容差±5%