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RTQ045N03 发布时间 时间:2025/6/3 16:29:20 查看 阅读:5

RTQ045N03是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种功率转换和开关应用。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力,广泛应用于电源管理电路、DC-DC转换器、电机驱动等领域。
  这款MOSFET采用TO-252封装形式,使其适合表面贴装工艺,并且具备良好的散热性能。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:9nC
  开关时间:典型值为16ns(开启)和12ns(关闭)
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

RTQ045N03的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低功率损耗。
  2. 快速的开关速度,有助于提高效率并减少电磁干扰。
  3. 较低的栅极电荷,简化了驱动电路设计。
  4. 高雪崩耐量,增强了在过载条件下的可靠性。
  5. 符合RoHS标准,环保且无铅。

应用

该MOSFET适用于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器的核心元件。
  3. 电机驱动中的负载切换。
  4. 负载点(POL)转换器中的同步整流。
  5. 各类工业设备中的功率控制模块。

替代型号

RTQ040N03L, IRFZ44N, FDP070N03L

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