时间：2025/6/23 19:35:39
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FN15N101J500PNG 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等电力电子领域。这款器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统的效率和可靠性。
该器件的封装形式为 PDFN5x6 封装，其紧凑的外形非常适合空间受限的应用场景。此外，它具备良好的热性能，有助于提高功率密度。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：15A
导通电阻：4.5mΩ（典型值）
栅极电荷：43nC（典型值）
开关速度：快速开关
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：PDFN5x6
FN15N101J500PNG 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为 4.5mΩ，从而降低了传导损耗，提升了整体效率。
2. 快速开关能力，得益于优化的栅极电荷设计，使其适用于高频应用环境。
3. 高电流承载能力，可支持高达 15A 的连续漏极电流。
4. 采用 PDFN5x6 封装，具有优良的散热特性和紧凑的尺寸，适合小型化设计需求。
5. 广泛的工作温度范围，从 -55℃ 到 +175℃，确保了在极端条件下的稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
该芯片适用于多种电力电子应用，例如：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC 转换器中的同步整流管或主开关。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 充电器、逆变器以及工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 各种需要高效功率转换和控制的场景。
IRFZ44N
STP16NF06L
FDP15N10
AO3400
