时间：2025/11/8 6:59:39
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RTQ035P02FHA是一款由瑞奇科技（RichTek）推出的高性能、低导通电阻的P沟道功率MOSFET，采用先进的高压制程技术制造，专为高效率电源管理应用而设计。该器件具备优异的热稳定性和可靠性，适用于多种便携式电子设备和工业控制电路中的负载开关、电池反接保护、DC/DC转换器以及热插拔控制等场景。RTQ035P02FHA封装在小型化的DFN2x2-8L封装中，有助于节省PCB空间并提升系统集成度。其栅极阈值电压设计适中，可兼容3.3V或5V逻辑电平驱动，便于与MCU或其他数字控制器直接接口，无需额外的电平转换电路。
该MOSFET在设计上优化了RDS(on)与栅极电荷之间的平衡，在保证低导通损耗的同时，也兼顾了开关速度与功耗的表现。此外，产品符合RoHS环保标准，并通过了严格的可靠性测试，确保在高温、高湿及复杂电磁环境下仍能稳定运行。RTQ035P02FHA广泛应用于智能手机、平板电脑、物联网终端、网络通信模块及其他需要高效能功率开关的场合。
型号：RTQ035P02FHA
通道类型：P沟道
最大漏源电压(VDS)：-30V
最大连续漏极电流(ID)：-14A
导通电阻(RDS(on))：2.3mΩ @ VGS = -10V, 2.8mΩ @ VGS = -4.5V
栅极阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -2.0V
输入电容(Ciss)：960pF @ VDS=15V
反向恢复时间(trr)：未内置体二极管快恢复
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
封装类型：DFN2x2-8L
RTQ035P02FHA具备卓越的导通性能，其低RDS(on)特性显著降低了在大电流条件下的导通损耗，从而提升了整体系统的能效表现。当栅极驱动电压达到-10V时，其典型导通电阻仅为2.3mΩ，即使在较低的-4.5V驱动条件下也能维持在2.8mΩ以下，这使得它非常适合用于对效率要求极高的同步整流或电池供电系统中。这种低阻抗表现不仅减少了发热，还允许更高的持续电流承载能力，有助于简化散热设计并提高功率密度。
该器件采用了先进的封装技术和芯片工艺，有效降低了寄生电感和电阻，提升了高频开关下的动态响应能力。同时，其较小的输入电容（Ciss=960pF）意味着驱动电路所需的驱动功率更低，有利于降低控制器的负载压力，特别适合搭配低驱动能力的微控制器使用。此外，RTQ035P02FHA具有良好的热稳定性，能够在宽温度范围内保持稳定的电气特性，避免因温度变化导致性能波动。
在可靠性方面，该MOSFET经过多重质量验证，包括高温反偏、温度循环、高压应力测试等，确保长期使用的稳定性与安全性。DFN2x2-8L封装不仅体积小巧，还具备优良的散热性能，底部裸露焊盘可有效将热量传导至PCB地层，进一步增强热管理能力。整体设计兼顾了高性能、小尺寸与高可靠性，使其成为现代紧凑型电子产品中理想的功率开关解决方案。
主要用于便携式消费类电子产品中的电源开关控制，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池管理与负载切换；
适用于各类DC/DC降压或升压变换器中的同步整流或高端开关应用，提升转换效率；
作为电池反接保护电路的核心元件，防止因电池安装错误导致系统损坏；
用于热插拔控制器或电源多路复用电路中，实现安全的上电时序控制；
广泛应用于工业自动化、IoT节点模块、无线通信设备等需要高效、可靠P沟道MOSFET的场景。
