类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：60A
　　最大漏源电压 (Vds)：100V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±20V
　　导通电阻 (Rds(on))：最大 7.5mΩ（在 Vgs=10V）
　　功耗 (Pd)：200W
　　封装类型：TO-263（D2PAK）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C

CXR706080-106GG-TL 具有极低的导通电阻，使其在高电流应用中能够减少功率损耗并提高整体效率。该器件采用 TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于高密度电路设计。
　　此外，该 MOSFET 提供了快速开关特性，使其适用于高频开关电源、同步整流器和 DC-DC 转换器等应用。其 ±20V 的最大栅源电压确保了在各种驱动条件下具有良好的可靠性。
　　这款功率 MOSFET还具有出色的雪崩能量能力，能够在过载和短路条件下提供额外的保护。其沟槽技术的使用优化了电场分布，从而提高了器件的耐压能力和稳定性。

该器件广泛应用于多种电源管理系统和功率电子设备中。典型应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器、同步整流器以及高效率开关电源（SMPS）。
　　在工业自动化和电源管理领域，CXR706080-106GG-TL 常用于电源模块和功率分配系统中，以提高能效并降低热量产生。其高电流承载能力和低导通电阻也使其适用于电动汽车（EV）充电系统、太阳能逆变器和储能系统等新能源应用。
　　由于其表面贴装封装，该 MOSFET 非常适合自动化 PCB 装配，广泛用于需要高功率密度和小型化设计的现代电子设备中。

SiHHX10N60EF, FDD8880, IRF3710, IPW65R045CFD7