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GA0603A820JBCAT31G 发布时间 时间:2025/6/9 12:16:58 查看 阅读:18

GA0603A820JBCAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET,适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统的整体效率并降低能耗。
  该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET,其设计优化了高频工作条件下的性能表现。通过降低栅极电荷和输出电容,该器件能够在高频条件下实现更低的开关损耗。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:2mΩ
  栅极电荷:45nC
  总电容:1200pF
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA0603A820JBCAT31G 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(2mΩ),可有效减少传导损耗。
  2. 快速开关能力,支持高频操作,适合高频开关电源应用。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
  4. 紧凑型封装设计,有助于节省 PCB 布局空间。
  5. 支持宽温度范围(-55℃ 至 +175℃),适应极端环境下的应用需求。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  此外,该器件还具有良好的热稳定性和电气可靠性,非常适合要求高效能和高可靠性的应用场景。

应用

GA0603A820JBCAT31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 工业自动化设备
  5. 太阳能逆变器
  6. 电动车和混合动力车中的功率管理模块
  7. LED 驱动电路
  由于其低导通电阻和快速开关性能,这款 MOSFET 在需要高效率和低功耗的场景中表现出色。

替代型号

GA0603A820JBCAT30G, IRFZ44N, FDP17N60

GA0603A820JBCAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容82 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-