型号：RTQ035P02 TR
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：-20V
　　最大栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-3.5A（@TC=70℃）
　　脉冲漏极电流(IDM)：-10A
　　导通电阻(RDS(ON))：35mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻(RDS(ON))：42mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压(Vth)：-0.6V ~ -1.0V
　　输入电容(Ciss)：420pF @ VDS=10V
　　输出电容(Coss)：190pF @ VDS=10V
　　反向传输电容(Crss)：40pF @ VDS=10V
　　栅极电荷(Qg)：8nC @ VGS=4.5V
　　功耗(PD)：1.5W
　　工作结温范围(TJ)：-55℃ ~ +150℃
　　封装：DFN2020-6L

RTQ035P02 TR采用先进的沟槽型场效应晶体管工艺，具备极低的导通电阻，典型值仅为35mΩ（在VGS = -4.5V条件下），这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提升了系统的整体能效。对于电池供电设备而言，这种低RDS(ON)特性有助于延长续航时间。同时，在VGS = -2.5V时，其导通电阻仍保持在42mΩ以内，说明该器件具备良好的低电压驱动能力，适合用于由1.8V或2.5V逻辑信号直接控制的应用场景，无需额外的电平转换电路。
　　该MOSFET的栅极阈值电压范围为-0.6V至-1.0V，确保了在较低的栅极驱动电压下也能实现可靠的开启，进一步增强了与现代低压微控制器和电源管理IC的兼容性。其输入电容（Ciss）为420pF，在高频开关应用中表现出适中的开关速度和可控的驱动损耗，平衡了动态性能与驱动复杂度之间的关系。输出电容（Coss）和反向传输电容（Crss）分别为190pF和40pF，有助于减少开关过程中的能量损耗和串扰，提高电源系统的稳定性。
　　DFN2020-6L封装不仅体积小巧（2.0mm x 2.0mm），还具备优良的散热性能，底部带有裸露焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量快速传导至内层或底层，从而有效降低热阻，提升功率承载能力。该封装无铅且符合RoHS标准，支持回流焊工艺，适用于自动化贴片生产流程。
　　器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，可在严苛的环境温度下稳定运行，满足工业级和汽车级应用的部分需求。内置的体二极管具有一定的反向恢复能力，能够在感性负载切换时提供必要的续流通路，但建议在关键应用中配合外部肖特基二极管以优化效率。整体而言，RTQ035P02 TR在性能、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡，是中小功率P沟道MOSFET的理想选择之一。

RTQ035P02 TR广泛应用于需要高效、紧凑型电源管理解决方案的各类电子系统中。其主要用途包括便携式消费类电子产品中的电源路径管理与电池开关控制，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和TWS耳机等，利用其低导通电阻和小封装优势，实现高效的电源切换与节能管理。在负载开关电路中，它可用于隔离不同电源域，防止反向电流流动，保护主电源免受下游故障影响。
　　此外，该器件也常用于DC-DC降压或升压转换器的同步整流部分，尤其是在低输出电压、中等电流的应用中，作为上管或下管使用，提升转换效率。由于其支持逻辑电平驱动，因此非常适合与微控制器、PMU或GPIO直接接口，构建智能电源控制系统，如热插拔电路、多电源冗余切换、上电时序控制等。
　　在工业物联网节点、传感器模块和无线通信设备中，RTQ035P02 TR可用于实现低功耗待机模式下的电源切断功能，显著降低静态电流消耗。同时，其高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于部分车载电子模块和工业手持设备，承担电源分配与保护任务。总之，凡是需要小型化、高效率、低压驱动的P沟道功率开关场合，RTQ035P02 TR均是一个极具竞争力的选项。

RTQ035P02GTR