类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：450V
　　最大漏极电流（Id）：100mA（连续）
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：约 10Ω（典型值）
　　最大功耗（Pd）：300mW（TO-92 封装）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-92、TO-220（视具体厂家而定）

JX2N2329 具备多项优良特性，使其在多种电路设计中具备良好的适用性。首先，其高漏源电压（450V）使其适用于高压开关应用，如荧光灯镇流器、小型电源转换器等。其次，尽管其导通电阻相对较高（约 10Ω），但由于其较低的成本和易于驱动的特性，非常适合用于低功耗开关控制电路。
　　此外，JX2N2329 的栅极驱动电压范围较宽（±30V），使其兼容多种驱动电路，包括常见的 TTL 和 CMOS 控制信号。其开关速度较快，能够满足中频开关应用的需求，有助于减少开关损耗，提高整体效率。
　　在热性能方面，JX2N2329 的封装设计具有良好的散热能力，能够在较宽的温度范围内稳定工作。这使其适用于一些对环境适应性要求较高的工业控制和家电产品中。
　　最后，该器件的制造工艺成熟，具有良好的一致性与可靠性，适合大批量应用。其低成本、高稳定性和广泛可用性，使其成为许多工程师在通用开关应用中的首选器件。

JX2N2329 主要应用于以下领域：
　　1. **小功率开关电路**：如 LED 驱动、继电器控制、小型马达控制等。
　　2. **高压电源控制**：用于荧光灯电子镇流器、小型逆变器、高压开关电源中的驱动控制部分。
　　3. **工业控制**：如 PLC 输出控制、传感器开关、自动化设备中的信号控制。
　　4. **消费电子产品**：包括家电中的马达控制、电源管理模块等。
　　5. **教学实验**：由于其参数明确、成本低廉，常用于电子工程教学实验中作为基础 MOSFET 的示例器件。

2N2329、2N3904、IRF610、BS170