时间：2025/6/6 16:44:00
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RTQ025P02TR 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高效率、高频率的开关应用。该器件采用先进的半导体制造工艺，在低导通电阻和快速开关速度之间实现了良好的平衡。其封装形式为 SOT-23，具有小型化和高性能的特点，非常适合用于便携式设备和其他空间受限的应用场景。
这款 MOSFET 通常被用作负载开关、同步整流器或降压转换器中的开关元件，能够有效降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
持续漏极电流：2.4A
导通电阻（典型值）：75mΩ
总电荷（Qg）：12nC
栅极电荷（Qgs）：4.5nC
开关时间（tr+tf）：16ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
1. 超低导通电阻设计，可显著降低传导损耗。
2. 快速开关性能，适合高频应用场合。
3. 小尺寸 SOT-23 封装，便于 PCB 布局和散热管理。
4. 高可靠性与稳定性，支持广泛的工业和消费类应用场景。
5. 具备出色的热特性和电气性能，能够承受较大的电流脉冲。
该 MOSFET 广泛应用于各种电子电路中，包括但不限于以下领域：
1. 手机和平板电脑等便携式设备的电源管理系统。
2. 开关电源（SMPS）及 DC/DC 转换器。
3. LED 驱动电路和背光驱动。
4. 各种保护电路，例如过流保护和短路保护。
5. 工业控制和汽车电子中的信号切换功能。
RTQ025PN2T、IRLML6402、AO3400
