时间：2025/9/14 16:43:43
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BUK7675-55A,118 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能功率 MOSFET 晶体管。该器件属于增强型 N 沟道 MOSFET，设计用于高电流和高效率的电源应用。BUK7675-55A 提供了出色的导通电阻和开关性能，适用于 DC-DC 转换器、电机控制、电源管理和电池供电系统等领域。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 (Vds)：55 V
最大漏极电流 (Id)：130 A
导通电阻 (Rds(on))：5.5 mΩ（典型值）
栅极阈值电压 (Vgs(th))：2 V 至 4 V
最大功耗 (Ptot)：190 W
封装类型：TO-220AB
BUK7675-55A,118 具备多项优异特性，使其适用于高功率和高频应用。首先，其低导通电阻 (Rds(on)) 有助于减少导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具备较高的电流承载能力，最大漏极电流可达 130 A，适合用于大功率负载的控制。此外，BUK7675-55A 的栅极阈值电压较低，能够在较低的控制电压下实现快速导通，提高了电路设计的灵活性。该 MOSFET 还具备良好的热稳定性和高耐用性，可在恶劣环境下稳定运行。TO-220AB 封装形式不仅便于散热，还简化了 PCB 布局设计。结合其快速开关特性和低电容设计，BUK7675-55A 非常适合用于需要高频开关的电源转换系统。
BUK7675-55A,118 主要应用于高功率 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统、工业电源以及汽车电子系统。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件在电源管理领域表现出色，尤其适用于需要高效能和高可靠性的场合。此外，BUK7675-55A 也广泛用于电信设备、服务器电源、太阳能逆变器以及 UPS（不间断电源）系统中。
IRF1405, STP150N55F3AG, SiR142DP
