DS1245Y 是一款由 Maxim Integrated 生产的非易失性静态随机存取存储器 (NVSRAM)。该芯片集成了一个 SRAM 和一个微控制器单元,能够实现数据的高速读写和断电后的数据保存功能。DS1245Y 支持 I2C 接口,并具有低功耗特性,非常适合需要频繁访问内存且要求数据持久性的应用。
DS1245Y-100IND+ 是 DS1245Y 的工业级版本,能够在更宽的工作温度范围内运行,确保在恶劣环境下的可靠性。
存储容量:32K x 8 bits
工作电压:1.8V 至 5.5V
I2C 总线速度:标准模式(100kHz)、快速模式(400kHz)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:SOIC-8
数据保存时间:超过10年(典型值)
写入周期:小于5ms
DS1245Y 具有以下显著特性:
1. 集成 NVSRAM 技术,提供 SRAM 的高速性能和 EEPROM 的非易失性功能。
2. 内置电源管理电路,支持自动切换至备用电池供电以保护数据。
3. 支持标准和快速模式 I2C 接口,兼容多种主控设备。
4. 极低的待机功耗,延长电池寿命。
5. 工业级温度范围,适用于各种严苛环境。
6. 数据保存时间长,保证长时间断电后数据完整性。
7. 小型封装设计,便于嵌入式系统集成。
DS1245Y 广泛应用于需要高可靠性和数据持久性的领域,包括但不限于:
1. 工业自动化控制设备中的数据记录与配置保存。
2. 医疗设备的数据日志存储。
3. 仪表设备中的校准参数和历史数据保存。
4. 智能电表和其他电力监控系统的实时数据存储。
5. 嵌入式系统中关键状态信息的备份和恢复。
6. 航空航天和军事领域的关键任务数据存储。
其优异的性能和可靠性使得它成为许多高性能系统的理想选择。
DS1245Z-100IND+, DS1245L-100IND+