时间：2025/8/5 14:28:57
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GS3281-INTE3是一款由Giantec Semiconductor制造的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，采用N沟道设计，适用于高效能功率管理应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和快速开关特性，能够在高频率下运行，适合用于电源转换、负载开关以及马达控制等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：8A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.015Ω（典型值）
功率耗散（PD）：45W
工作温度范围：-55°C至175°C
GS3281-INTE3的低导通电阻特性使其在高电流应用中能够显著减少功率损耗并提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，优化了导通和开关性能，同时具备优异的热稳定性，能够承受较高的工作温度。此外，GS3281-INTE3的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V及以下驱动电路，兼容多种控制IC。该器件还具有较高的抗雪崩能力，可在严苛的工作条件下保持稳定运行。
在封装方面，GS3281-INTE3采用TO-252（DPAK）封装形式，体积小巧，便于PCB布局，并具备良好的散热性能。这种封装形式广泛应用于电源模块、DC-DC转换器、电池管理系统以及工业控制设备中。其高可靠性和耐久性使其成为许多高性能功率应用的理想选择。
GS3281-INTE3适用于多种功率电子系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、同步整流器、负载开关、马达驱动器、LED驱动电路、电池充电管理模块以及工业自动化控制系统。该器件在高效能和高频开关应用中表现尤为出色，能够帮助设计工程师优化电路性能并提高整体系统效率。
Si4410BDY-T1-GE3, FDS6680, IRF540N
