RTN201702/02 时间：2025/7/30 22:32:50 阅读：28

RTN201702/02是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的双路N通道功率MOSFET器件。该器件采用先进的STripFET技术，提供卓越的电气性能和热稳定性，广泛应用于各种电源管理和功率控制电路中。RTN201702/02封装在紧凑的PowerSSO-16封装中，适用于需要高功率密度和高效能的系统设计。该器件的主要特性包括低导通电阻、高耐压能力和优异的开关性能。

参数

类型：N通道MOSFET
　　封装：PowerSSO-16
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.026Ω（最大值为0.035Ω）
　　最大漏极电流（Id）：10A（连续）
　　最大漏极-源极电压（Vds）：30V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　功耗（Ptot）：3.5W
　　配置：双路MOSFET（两个独立的N通道MOSFET）
　　技术：STripFET F7

特性

RTN201702/02具有多项优异的电气和物理特性，使其在功率管理应用中表现出色。首先，该器件采用STMicroelectronics的先进STripFET F7技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其典型Rds(on)为0.026Ω，最大为0.035Ω，适用于要求低功耗和高效率的应用。此外，该MOSFET的最大漏极-源极电压为30V，最大漏极电流为10A，能够支持中高功率负载。
　　其次，RTN201702/02采用PowerSSO-16封装，具有良好的热管理和机械稳定性。该封装设计有助于提高散热效率，延长器件使用寿命，并支持紧凑型PCB布局，适用于空间受限的应用。此外，该器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适合在极端环境条件下运行。
　　另外，该MOSFET具备快速开关特性，减少了开关损耗，提高了响应速度。这使得RTN201702/02在DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统等高频开关应用中表现优异。由于其双路MOSFET配置，两个通道可以独立使用，适用于需要多个MOSFET的系统，减少PCB空间占用并提高集成度。
　　最后，RTN201702/02具有高可靠性，符合AEC-Q100汽车级认证标准，适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车身控制模块等。其栅极驱动电压范围宽，支持3.3V至15V之间的控制信号，适用于多种控制器和逻辑电平接口。

应用

RTN201702/02主要应用于需要高效功率控制和管理的电子系统。其典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及各种电源管理模块。由于其双路MOSFET结构，该器件也适用于需要多个MOSFET并行工作的系统，如工业自动化设备、消费类电子产品和汽车电子控制单元（ECU）。此外，它还可用于设计高效率的LED驱动电路和电源适配器，满足节能和小型化的需求。