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IS46DR16128-3DBLA2 发布时间 时间:2025/9/1 11:47:50 查看 阅读:11

IS46DR16128-3DBLA2 是由 Integrated Silicon Solution(ISSI)公司生产的一款高性能、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片具有16位数据总线宽度,容量为2M x 16,工作电压为2.3V至3.6V,适用于多种嵌入式系统和工业控制设备。IS46DR16128-3DBLA2 采用BGA封装,具有较高的稳定性和可靠性。

参数

容量:2M x 16
  数据总线宽度:16位
  工作电压:2.3V - 3.6V
  封装类型:BGA
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  最大访问时间:5.4ns
  最大频率:166MHz
  功耗:低功耗设计
  引脚数:54

特性

IS46DR16128-3DBLA2 是一款高性能的异步静态随机存储器(SRAM)芯片,具有出色的存取速度和稳定性。该芯片的最大访问时间仅为5.4ns,支持高达166MHz的工作频率,非常适合对响应时间和性能要求较高的应用场景。其16位的数据总线宽度使其能够高效地处理大量数据,提高系统运行效率。
  该芯片采用低功耗设计,在保证高性能的同时,降低了整体能耗,适合用于对功耗敏感的设备。其工作电压范围为2.3V至3.6V,具有较强的电压适应能力,能够在不同供电环境下稳定运行。此外,IS46DR16128-3DBLA2 采用54引脚的BGA封装形式,不仅节省了空间,还提高了抗干扰能力,适合在复杂电磁环境中使用。
  该芯片还具备良好的温度适应性,能够在-40°C至+85°C的宽温范围内正常工作,适用于各种工业级应用,如通信设备、网络设备、工业控制系统、医疗设备等。其高可靠性和稳定性使其成为许多高端嵌入式系统和工业设备的理想选择。

应用

IS46DR16128-3DBLA2 广泛应用于各种需要高速、低功耗存储解决方案的设备中。常见应用包括通信设备、路由器、交换机、工业控制系统、医疗设备、测试仪器、汽车电子系统以及嵌入式计算机系统。由于其高性能和高可靠性,它也常用于需要长时间稳定运行的工业和商业设备中。

替代型号

IS46DR16128-3DBL、IS46DR16128-3DBLA1、IS46DR16128-3DBLJ

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IS46DR16128-3DBLA2参数

  • 制造商ISSI
  • 封装Tray
  • 工厂包装数量162