RT2010BKD07200KL 是一款由日本罗姆(ROHM)公司生产的 N 沟道功率 MOSFET。该型号属于 ROHM 的 RGS 系列,适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。其封装形式为 DPAK(TO-263),能够提供较高的电流处理能力和良好的散热性能。
该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和栅极电荷,能够在高频开关应用中减少功耗并提高效率。
最大漏源电压:60V
最大连续漏极电流:45A
导通电阻:4.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷:18nC(典型值)
输入电容:1350pF(典型值)
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
封装形式:DPAK(TO-263)
RT2010BKD07200KL 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,可有效降低传导损耗。
2. 高效的开关性能,适合高频应用。
3. 较低的栅极电荷和输出电荷,有助于减少开关损耗。
4. 提供出色的热性能,支持高功率密度设计。
5. 工作温度范围宽,适用于恶劣环境下的应用。
6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
该器件还具备快速开关速度和良好的抗雪崩能力,非常适合要求高可靠性的工业和汽车级应用。
RT2010BKD07200KL 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流开关。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 电池管理系统中的负载开关或保护开关。
5. 工业设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的大电流开关元件。
由于其高性能和可靠性,该器件在工业、汽车和消费类电子市场均有广泛应用。
RT2010BKD07200GL, IRFZ44N, FDP5510