时间：2025/6/5 13:24:05
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RT2010BKD07200KL 是一款由日本罗姆（ROHM）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET。该型号属于 ROHM 的 RGS 系列，适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。其封装形式为 DPAK（TO-263），能够提供较高的电流处理能力和良好的散热性能。
该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和栅极电荷，能够在高频开关应用中减少功耗并提高效率。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：45A
导通电阻：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：18nC（典型值）
输入电容：1350pF（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：DPAK（TO-263）
RT2010BKD07200KL 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，可有效降低传导损耗。
2. 高效的开关性能，适合高频应用。
3. 较低的栅极电荷和输出电荷，有助于减少开关损耗。
4. 提供出色的热性能，支持高功率密度设计。
5. 工作温度范围宽，适用于恶劣环境下的应用。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
该器件还具备快速开关速度和良好的抗雪崩能力，非常适合要求高可靠性的工业和汽车级应用。
RT2010BKD07200KL 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流开关。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 电池管理系统中的负载开关或保护开关。
5. 工业设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的大电流开关元件。
由于其高性能和可靠性，该器件在工业、汽车和消费类电子市场均有广泛应用。
RT2010BKD07200GL, IRFZ44N, FDP5510
