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RT2010BKD07200KL 发布时间 时间:2025/6/5 13:24:05 查看 阅读:9

RT2010BKD07200KL 是一款由日本罗姆(ROHM)公司生产的 N 沟道功率 MOSFET。该型号属于 ROHM 的 RGS 系列,适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。其封装形式为 DPAK(TO-263),能够提供较高的电流处理能力和良好的散热性能。
  该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和栅极电荷,能够在高频开关应用中减少功耗并提高效率。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:45A
  导通电阻:4.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:18nC(典型值)
  输入电容:1350pF(典型值)
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃
  封装形式:DPAK(TO-263)

特性

RT2010BKD07200KL 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,可有效降低传导损耗。
  2. 高效的开关性能,适合高频应用。
  3. 较低的栅极电荷和输出电荷,有助于减少开关损耗。
  4. 提供出色的热性能,支持高功率密度设计。
  5. 工作温度范围宽,适用于恶劣环境下的应用。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
  该器件还具备快速开关速度和良好的抗雪崩能力,非常适合要求高可靠性的工业和汽车级应用。

应用

RT2010BKD07200KL 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级开关。
  4. 电池管理系统中的负载开关或保护开关。
  5. 工业设备中的功率控制模块。
  6. 汽车电子系统中的大电流开关元件。
  由于其高性能和可靠性,该器件在工业、汽车和消费类电子市场均有广泛应用。

替代型号

RT2010BKD07200GL, IRFZ44N, FDP5510

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RT2010BKD07200KL参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥2.73471卷带(TR)
  • 系列RT
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电阻200 kOhms
  • 容差±0.1%
  • 功率 (W)0.5W,1/2W
  • 成分薄膜
  • 特性-
  • 温度系数±25ppm/°C
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 封装/外壳2010(5025 公制)
  • 供应商器件封装2010
  • 等级-
  • 大小 / 尺寸0.197" 长 x 0.098" 宽(5.00mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)0.026"(0.65mm)
  • 端子数2
  • 故障率-