时间：2025/9/14 5:22:09
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PBLS6004D,115是一款由Nexperia（原飞利浦半导体部门）生产的双P沟道增强型MOSFET，采用TSSOP14封装，适用于高效率电源管理和负载开关应用。该器件在小型封装中提供了良好的导通电阻和电流承载能力，适用于便携式设备、电源管理单元以及需要低功耗设计的系统。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：-20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：-4A（在Vgs= -4.5V时）
导通电阻（Rds(on)）：最大33mΩ（在Vgs=-4.5V时）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TSSOP14
PBLS6004D,115采用了先进的Trench MOSFET技术，提供了极低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了效率。该器件的双MOSFET结构使其能够用于双向负载开关或H桥配置，适用于电机控制、电源切换等应用。此外，该器件具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，并支持较高的工作频率。其TSSOP14封装具有较小的PCB占用空间，适合高密度设计。该MOSFET还具备良好的热稳定性，并支持表面贴装工艺，便于自动化生产。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在-4.5V至-10V之间正常工作，使其适用于多种电源管理场景。此外，PBLS6004D,115具备较强的抗静电能力，能够在恶劣环境下保持稳定运行。
该器件广泛应用于便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电源管理系统，用于电池供电切换、负载开关控制和过流保护。此外，PBLS6004D,115还可用于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路以及各种低电压高效率开关电源设计。在工业控制系统中，该器件也常用于PLC模块、传感器电源管理以及智能电表的电源切换模块。
Si3442DV-T1-GE3, BUK9M52-40B, PMV27XPE
