ME75N03L 时间：2025/6/19 19:12:58 阅读：5

ME75N03L是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它通常用于开关和功率管理应用中，具有低导通电阻、快速开关速度和高效率的特点。这种器件适用于多种电子设备中的功率转换、电机驱动和负载开关等功能。
　　该MOSFET的设计使其能够在高频条件下保持高效运行，并且具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：75A
　　导通电阻：2.8mΩ
　　栅极电荷：94nC
　　开关时间：开启时间16ns，关断时间25ns
　　工作结温范围：-55℃至175℃

特性

ME75N03L具有超低的导通电阻，这使得它在大电流应用中能够显著降低功耗。此外，其快速的开关速度减少了开关损耗，从而提高了整体系统效率。
　　该器件采用先进的制造工艺，确保了出色的热性能和电气稳定性。即使在极端温度条件下，ME75N03L也能保持稳定的性能表现。
　　MOSFET封装设计优化了散热路径，适合长时间高负载工作环境。同时，它还具有较高的雪崩能量能力，增强了系统的鲁棒性。

应用

ME75N03L广泛应用于各种电力电子领域，例如服务器电源、通信电源、太阳能逆变器、电动工具以及工业自动化设备中的直流电机驱动。
　　此外，它也常被用作负载开关或续流二极管替代品，在需要高效能和高可靠性的场合表现出色。
　　由于其低导通电阻和快速切换能力，ME75N03L特别适合同步整流、DC-DC转换器以及其他高频功率转换电路。