型号：CDBQR0130L
　　类型：肖特基二极管
　　封装：DFN2510-2L
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大平均整流电流（IO）：1.3A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：12A（8.3ms单半正弦波）
　　最大正向压降（VF）：450mV @ 1A（典型值），600mV @ 1A（最大值）
　　最大反向漏电流（IR）：0.1mA @ 25°C，30V；10mA @ 125°C，30V
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻（Junction-to-Case, RθJC）：约40°C/W
　　安装方式：表面贴装（SMD）

CDBQR0130L的核心优势在于其低正向压降与快速开关响应能力，这得益于其采用的肖特基势垒结构。该结构通过金属-半导体接触形成势垒，避免了传统PN结中少数载流子的存储效应，从而实现了近乎瞬时的开关动作，显著降低了开关过程中的能量损耗。在实际应用中，尤其是在高频DC-DC变换器或同步整流拓扑中，这种特性有助于提升电源系统的整体效率并减少发热。其最大正向压降仅为600mV（在1A条件下），远低于普通硅二极管的约700–1000mV水平，因此在大电流导通状态下可大幅减少I2R损耗，尤其适用于对能效要求较高的便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
　　该器件的DFN2510-2L封装不仅体积小巧（典型尺寸约为2.5mm x 1.0mm x 0.9mm），还具备优良的散热性能。底部中央的裸露焊盘设计增强了从芯片结到PCB的热传导路径，使得即使在持续负载下也能有效控制温升。这种封装形式支持高密度PCB布局，满足现代电子产品小型化和轻薄化的设计趋势。同时，该封装符合JEDEC MS-012标准，兼容主流回流焊接工艺，确保批量生产中的可靠性和一致性。
　　CDBQR0130L的工作结温范围宽达-55°C至+125°C，使其能够在严苛环境条件下稳定运行，适用于工业级应用场景。其反向漏电流在常温下极低（仅0.1mA @ 30V），但在高温环境下有所上升（最高10mA @ 125°C），设计时需注意热管理以避免漏电流引发的额外功耗。此外，该器件具备一定的抗浪涌能力，峰值正向浪涌电流可达12A（基于8.3ms单半正弦波测试条件），可在瞬态过载或启动冲击中提供一定保护。综合来看，CDBQR0130L是一款高性能、高可靠性的低压肖特基二极管，特别适合用于同步整流、防反接电路、OR-ing二极管以及电池供电系统的功率路径管理。

CDBQR0130L主要应用于各类需要高效、低压整流功能的电子系统中。其典型用途包括但不限于：同步整流型DC-DC转换器，在此类拓扑中作为副边整流元件替代传统快恢复二极管，以降低导通损耗并提高转换效率，尤其适用于12V转5V、5V转3.3V或更低电压的降压电路；便携式消费类电子产品中的电源管理系统，例如手机、平板电脑和蓝牙耳机等设备的充电回路或电池保护模块，利用其低VF特性延长续航时间；USB供电路径控制，用于防止反向电流流动或实现多电源输入选择（Power OR-ing）；LED驱动电路中的续流二极管，保障电感释放能量时不损坏开关管；以及各类嵌入式控制器、IoT节点和传感器模块中的辅助电源整流环节。此外，由于其具备良好的高频响应能力和较小的寄生参数，也可用于高频开关电源中的箝位或保护电路。工业级应用方面，CDBQR0130L可用于PLC模块、工控电源单元和通信基站内的DC配电系统，配合其他功率器件完成高效的能量传递任务。总之，凡是涉及低压、大电流、高效率整流需求的场合，CDBQR0130L均是一个理想的选择。

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　　 "SBT0130L",
　　 "SS13",
　　 "MBR130",
　　 "PMG3013EP"
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