型号：RT1N241C-T50-1
　　制造商：Rectron Semiconductor
　　封装类型：SOD-123FL
　　二极管类型：肖特基势垒二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：20V
　　最大直流阻断电压（VR）：20V
　　最大平均整流电流（IO）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms单半正弦波）
　　最大正向电压（VF）：450mV @ 1A（典型值）
　　最大反向漏电流（IR）：0.1mA @ 20V（25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：约250°C/W（依PCB布局而定）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

RT1N241C-T50-1的核心特性源于其肖特基势垒结构，这种结构利用金属-半导体接触形成势垒，从而显著降低正向导通压降。相比传统的PN结二极管，肖特基二极管在导通时的能量损耗更小，尤其在低电压、大电流的应用场景下优势明显。该器件的最大正向压降仅为450mV左右，在1A电流下可大幅减少功率损耗，提升系统整体能效。这对于电池供电设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备至关重要，有助于延长续航时间。
　　该二极管具备非常快的反向恢复时间，理论上接近于零，因为其工作原理不依赖少数载流子的存储效应，因此在高频开关电源中不会产生明显的反向恢复电流尖峰，从而减少了电磁干扰（EMI）和开关损耗。这一特性使其成为DC-DC升压或降压转换器中理想的续流或整流元件。同时，由于其快速响应能力，也能有效防止瞬态反向电压对敏感电路造成损害。
　　SOD-123FL封装是该器件的另一亮点，其尺寸紧凑（约2.7mm x 1.6mm x 1.1mm），非常适合空间受限的设计。尽管体积小，但通过优化引脚设计和内部结构，仍能保证良好的散热性能和机械强度。此外，该封装支持回流焊工艺，兼容现代SMT生产线，有利于提高制造效率和产品一致性。RT1N241C-T50-1还具备良好的温度稳定性，即使在高温环境下反向漏电流增长也较为缓慢，确保了长期工作的可靠性。

RT1N241C-T50-1因其高效、小型化和高可靠性的特点，被广泛应用于多种电源相关电路中。在DC-DC转换器中，它常作为输出整流二极管或续流二极管使用，尤其是在同步整流尚未普及或成本受限的设计中，能够提供高效的非同步整流解决方案。在电池管理系统中，该器件可用于防止电池反接或在多电源路径中实现自动切换，保护后级电路不受损坏。
　　在消费类电子产品如手机、蓝牙耳机、智能手表等设备中，RT1N241C-T50-1常用于电源输入端的防反接保护或低压差线性稳压器（LDO）前端的隔离。其低正向压降有助于减少电压损失，确保在有限的电池电压下仍能为负载提供足够的工作电压。
　　此外，该二极管也适用于LED驱动电路中的箝位保护，防止电感反冲电压损坏驱动芯片；在USB接口电源管理中，可用于隔离不同电源域或防止外部电源倒灌。工业控制模块、便携式医疗设备和物联网终端等对空间和效率要求较高的应用场景也是其典型使用领域。由于其符合RoHS标准，亦可用于对环保要求严格的出口型产品设计中。

RB156V-201S-F