PQ2TZ15 时间：2025/8/28 6:26:20 阅读：17

PQ2TZ15是Rohm（罗姆）公司生产的一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和开关电路中。该器件采用小型表面贴装封装（通常为TSMT6或类似封装），适合用于需要高效率和紧凑设计的电子设备中。PQ2TZ15以其低导通电阻、快速开关特性和良好的热稳定性著称，广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及其他低电压高效率应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：2.5A
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大0.15Ω（在VGS=4.5V时）
　　栅极电荷（Qg）：典型值8.5nC
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TSMT6（表面贴装）

特性

PQ2TZ15具有多个关键特性，使其适用于高效率开关应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可减少导通状态下的功率损耗，提高整体效率。其次，该器件的栅极电荷较低，有助于提高开关速度并减少开关损耗，适用于高频开关电路。此外，PQ2TZ15具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定工作。
　　该MOSFET采用TSMT6封装，体积小巧，便于在空间受限的PCB布局中使用。其表面贴装封装也提高了自动化生产效率，并降低了制造成本。PQ2TZ15的栅源电压范围为±12V，允许使用标准的逻辑电平驱动器进行控制，增加了其在不同应用中的灵活性。
　　该器件的漏极电流额定值为2.5A，适用于中等功率的开关控制场合。其最大漏源电压为20V，适用于低压电源管理系统，如电池供电设备、便携式电子产品和小型DC-DC转换器。此外，PQ2TZ15具有较高的可靠性，能够在恶劣环境下稳定运行。

应用

PQ2TZ15主要应用于低电压高效率的开关电路中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统。在便携式电子设备中，该器件可用于电源管理模块，实现高效的能量转换与分配。
　　在电源管理系统中，PQ2TZ15常用于作为高边或低边开关，控制电源的通断以优化能效。在电池管理系统中，该MOSFET可作为充放电控制开关，确保电池安全运行并延长使用寿命。此外，PQ2TZ15也适用于LED驱动电路、小型电机控制电路以及各类低功耗开关电源（SMPS）设计。
　　由于其低导通电阻和高开关速度的特性，PQ2TZ15还可用于高频PWM（脉宽调制）控制电路，提高系统的动态响应能力和能效。在汽车电子系统中，该器件可用于车载电源管理、LED照明控制以及车载充电器等应用场景。