HCNW135是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的高速光耦合器,属于高性能的光电隔离器件。该光耦合器采用先进的GaAlAs LED和高速光敏晶体管作为核心组件,适用于需要高隔离电压和快速响应的应用场合。HCNW135广泛应用于工业自动化控制、电源转换系统、电机驱动器和各种隔离式数字信号传输系统中。该器件具有优良的电气隔离性能,能够在恶劣环境中提供稳定的信号传输,确保系统的安全性和可靠性。
类型:高速光耦合器
正向电压(VF):1.85 V(最大值)
正向电流(IF):60 mA(最大值)
反向电流(IR):100 μA(最大值)
集电极-发射极电压(VCE):30 V
集电极电流(IC):50 mA
隔离电压(VIORM):5600 VRMS
工作温度范围:-40°C 至 +100°C
封装类型:DIP-8、SMD-8
HCNW135具有多个显著的性能特点,首先是其高速传输能力,典型传播延迟时间为500 ns,上升和下降时间分别为100 ns和120 ns,适用于高频信号的隔离传输。其次是高隔离电压能力,其隔离电压达到5600 VRMS,能够有效隔离高压侧和低压侧电路,保障设备和操作人员的安全。此外,该光耦合器具有良好的抗干扰能力,能够在电磁干扰较强的工业环境中保持稳定工作。其宽工作温度范围(-40°C至+100°C)使其适用于各种恶劣环境。封装形式包括DIP-8和SMD-8,适用于通孔焊接和表面贴装工艺,便于在不同类型的PCB设计中使用。HCNW135还具有低功耗特性,适用于节能型电子系统设计。
HCNW135主要应用于需要高速信号隔离和高安全性的电子系统中。常见的应用包括工业自动化控制系统中的PLC输入/输出隔离、电机驱动器的控制信号隔离、开关电源和DC-DC转换器中的反馈信号隔离、变频器和逆变器中的控制信号传输,以及各种需要电气隔离的通信接口设计。此外,该器件也可用于测量仪器、医疗设备和测试设备中的信号隔离环节,确保设备运行的稳定性和操作的安全性。
HCPL-2630, 6N137, TLP2361, LTV-847