RT1N141S是一款由Rohm(罗姆)半导体公司生产的表面贴装硅整流二极管,属于通用型整流器件系列。该器件采用SOD-123小型封装,适用于空间受限的高密度电路板设计。RT1N141S主要用于低功率直流电源转换、信号整流和反向电压保护等应用场景。其结构基于PN结二极管技术,具有快速开关响应能力,适合高频操作环境。由于其优异的热稳定性和可靠性,RT1N141S广泛应用于消费类电子产品、便携式设备、通信模块以及工业控制电路中。该二极管在制造过程中符合RoHS环保标准,不含铅、镉等有害物质,支持无铅焊接工艺,满足现代电子产品的环保要求。此外,RT1N141S具备良好的浪涌电流承受能力,在瞬态过载条件下仍能保持稳定工作性能,增强了系统整体的安全性与耐用性。
类型:整流二极管
封装/外壳:SOD-123
最大重复峰值反向电压(VRRM):100V
最大直流阻断电压(VR):100V
平均整流电流(IO):1A
正向压降(VF):典型值1.1V,最大值1.3V(在IF=1A条件下)
最大反向漏电流(IR):5μA(在VR=100V,TA=25°C)
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
反向恢复时间(trr):典型值4μs
RT1N141S整流二极管具备多项关键电气与物理特性,使其在众多同类产品中脱颖而出。首先,其最大重复峰值反向电压为100V,能够有效应对瞬时高压冲击,适用于多种低压直流电源系统中的反向电压防护需求。该器件的平均整流电流额定值达到1A,能够在持续负载条件下提供稳定的电流传输能力,同时其正向导通压降较低,典型值仅为1.1V,在1A电流下可显著降低功耗并减少热量积聚,提升整体能效表现。这种低VF特性对于电池供电设备尤为重要,有助于延长续航时间。
其次,RT1N141S采用SOD-123超小型表面贴装封装,尺寸紧凑(约2.7mm x 1.6mm x 1.1mm),非常适合用于高密度PCB布局,尤其适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间高度敏感的应用场景。该封装还具备良好的热传导性能,结合芯片内部优化的金属化结构,可在有限的空间内实现高效的散热管理。
再者,该二极管具有较短的反向恢复时间(trr典型值为4微秒),虽不属于快恢复或超快恢复类别,但在常规工频及中频整流应用中已足够胜任,能够有效减少开关损耗,提高电源转换效率。此外,其反向漏电流极低,在常温下不超过5μA,保证了在待机或轻载状态下的低静态功耗,提升了系统的能源利用率。
最后,RT1N141S拥有宽广的工作温度范围(-55°C至+150°C),可在极端环境下稳定运行,适用于工业级和汽车电子等严苛使用条件。器件通过AEC-Q101认证的可能性较高(需查证具体批次),进一步拓展了其在车载电子系统中的应用潜力。综合来看,RT1N141S以其高可靠性、小体积、良好电性能和成本效益,成为许多通用整流应用的理想选择。
RT1N141S整流二极管广泛应用于多个电子领域,主要集中在需要小型化、高效能整流功能的场合。在消费类电子产品中,它常被用于AC-DC适配器、USB充电模块、LED照明驱动电源以及便携式音频设备中,作为输出端的整流元件或极性保护器件。其1A的额定电流足以支持大多数低功率电源设计,而100V的耐压能力则提供了足够的安全裕量,防止因电压波动导致的击穿故障。
在通信设备方面,RT1N141S可用于隔离不同电源域、防止电流倒灌,例如在PoE(以太网供电)终端设备或无线传感器节点中起到电源路径管理的作用。此外,在工业控制系统中,该二极管可应用于PLC输入模块、继电器驱动电路或信号调理单元中,用于钳位感应负载产生的反电动势,保护敏感逻辑电路不受损坏。
在汽车电子领域,尽管RT1N141S并非专为汽车级应用设计,但其宽温度范围和较高的可靠性使其可用于车身控制模块、车用照明系统或车载信息娱乐系统的辅助电源部分。特别是在非关键性的低功率整流任务中,它可以替代更大封装的器件,节省布板空间并降低物料成本。
另外,由于其SOD-123封装支持自动化贴片生产,RT1N141S也广泛用于大批量自动化组装的电子产品中,如智能家居设备、物联网终端和电源管理模块。在这些应用中,除了基本的整流功能外,它还可用于电池反接保护、多电源切换电路中的隔离二极管以及ESD和浪涌瞬态抑制的辅助防护措施。总体而言,RT1N141S凭借其均衡的性能指标和经济性,已成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。
1N4148WS、MMBD1414LT1G、BAV99W、RB520S-40、DMK1417