时间：2025/6/22 14:44:09
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SI9926DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款芯片采用 TO-252 (DPAK) 封装形式，广泛用于高效能开关应用中，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等场景。其低导通电阻特性使其在高电流和低电压应用中表现优异。
该器件能够在较宽的工作温度范围内稳定运行，并具备出色的热性能，有助于提高整体系统效率并减少散热需求。此外，由于其良好的电气特性和可靠性，SI9926DY-T1-E3 在工业、汽车以及消费类电子产品中均具有广泛应用。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：27A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷：8nC
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-252 (DPAK)
功耗：210W
SI9926DY-T1-E3 的主要特点是其非常低的导通电阻（Rds(on)），仅为 3.5mΩ（典型值）。这使得它非常适合需要低损耗的高电流应用。此外，它的栅极电荷较小，仅为 8nC，从而确保了快速开关速度和较低的开关损耗。
该器件还支持高达 +175℃ 的工作结温，这为高温环境下的应用提供了保障。同时，其较高的漏源电压（40V）和大电流处理能力（27A 连续漏极电流）使其适用于各种复杂的电源管理系统。
SI9926DY-T1-E3 符合 RoHS 标准，满足环保要求。此外，其紧凑的 TO-252 封装设计节省了 PCB 空间，同时保证了良好的散热性能。
该 MOSFET 主要应用于需要高效开关操作的场合，包括但不限于以下领域：
1. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
2. 各种负载开关的应用，如笔记本电脑和移动设备。
3. 工业用电机驱动及控制电路。
4. 电池管理系统中的保护和切换功能。
5. 通信设备中的电源模块设计。
其高性能特点使其成为多种高效率电力转换和分配系统的理想选择。
SI9927DY, IRFZ44N, FDP55N06L
