RT1N140U-T111-1是一款由瑞萨电子(Renesas Electronics)生产的表面贴装肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及反向电压保护等电路中。该器件采用SOD-123FL小型封装,具有低正向压降和快速恢复特性,适用于对空间和效率要求较高的便携式电子设备和电源管理系统。其设计旨在提供高可靠性和稳定的电气性能,在高温环境下仍能保持良好的工作状态。RT1N140U-T111-1的命名遵循行业标准编码规则,其中‘RT’代表产品系列,‘1N140’表示其为1A额定电流、40V耐压的肖特基二极管,‘T111-1’则指明其包装形式和引脚配置。该器件符合RoHS环保要求,并通过了多项国际安全与可靠性认证,适合在消费类电子产品、工业控制设备及通信模块中使用。由于其优异的热稳定性和较低的功耗表现,RT1N140U-T111-1成为现代高效能电源设计中的理想选择之一。
类型:肖特基二极管
最大重复反向电压(VRRM):40V
平均整流电流(IO):1A
峰值正向浪涌电流(IFSM):30A
最大正向电压(VF):500mV(典型值,@ IF = 1A, TJ = 25°C)
最大反向漏电流(IR):0.1mA(典型值,@ VR = 40V, TJ = 25°C)
反向恢复时间(trr):≤ 10ns
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
封装形式:SOD-123FL
极性:单芯片阳极朝向标记端
RT1N140U-T111-1具备出色的电学性能和热稳定性,其核心优势在于采用了先进的肖特基势垒技术,实现了极低的正向导通压降,通常在1A电流下仅为500mV左右,显著降低了功率损耗,提高了整体系统效率。这种低VF特性使其特别适用于电池供电设备或需要高能效转换的应用场景,如移动电源、笔记本电脑适配器和LED驱动电路。
该器件拥有非常快的开关响应速度,反向恢复时间trr不超过10纳秒,远优于传统PN结二极管,能够有效减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰,提升高频工作的稳定性。这对于工作频率高达数百kHz甚至MHz级别的DC-DC变换器尤为重要,有助于实现更高的开关频率和更小的外围滤波元件尺寸,从而缩小整体电源模块体积。
此外,RT1N140U-T111-1采用紧凑型SOD-123FL封装,具有较小的占板面积和优良的散热性能,便于自动化贴片生产,支持回流焊工艺,适用于高密度PCB布局。该封装还具备良好的机械强度和抗热冲击能力,确保在复杂环境下的长期可靠性。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C,可在严苛的温度条件下稳定运行,满足工业级和汽车级应用的部分需求。
在可靠性方面,该二极管经过严格的寿命测试和环境应力筛选,具备优异的抗湿气、抗氧化和抗老化能力。同时,产品符合无铅焊接标准和RoHS指令要求,支持绿色环保制造流程。其低漏电流设计也保证了在高温反偏条件下的安全性,避免因漏电增加而导致的热失控风险。总体而言,RT1N140U-T111-1是一款高性能、高可靠性的表面贴装肖特基二极管,适用于多种现代电子系统的电源管理需求。
RT1N140U-T111-1主要用于各类需要高效整流和快速响应的电源电路中。典型应用包括开关模式电源(SMPS)、同步整流辅助电路、DC-DC升压/降压转换器、反向极性保护电路以及电池充放电管理系统。由于其低正向压降和快速恢复特性,它常被用于便携式消费电子产品,如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备中的电源路径控制。
在AC-DC适配器和USB充电模块中,RT1N140U-T111-1可用于次级侧整流环节,替代传统快恢复二极管以提高转换效率并降低发热。其小型化封装非常适合空间受限的设计,例如超薄显示器、智能音箱和物联网终端设备。
此外,该器件也适用于工业控制系统中的信号隔离与箝位电路,以及通信设备中的瞬态电压抑制和噪声抑制电路。在汽车电子领域,尽管未明确标注为AEC-Q101认证产品,但仍可应用于非关键性车载电源模块,如车载娱乐系统、USB充电口或传感器供电单元。
由于其良好的高温性能和长期稳定性,RT1N140U-T111-1也可用于LED照明驱动电路中作为续流二极管,帮助维持电流连续性并防止反向电压损坏LED灯串。总之,这款二极管凭借其综合性能优势,已成为现代高效、小型化电源设计中不可或缺的基础元件之一。
RB751V-40T1G
SS14
B140W-13-F
SK14