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LH28F800BGHB-TTL90 发布时间 时间:2025/8/28 5:02:05 查看 阅读:4

LH28F800BGHB-TTL90 是由英特尔(Intel)生产的一款并行闪存存储器(Flash Memory)芯片,属于其LH28F系列。该芯片设计用于嵌入式系统和需要非易失性存储器的应用场景。其主要功能是提供高可靠性和高性能的程序存储能力,支持快速读取和编程操作。LH28F800BGHB-TTL90 封装形式为TSOP(Thin Small Outline Package),适用于工业级工作温度范围。

参数

型号: LH28F800BGHB-TTL90
  容量: 8Mbit (1M x 8)
  电压范围: 2.7V - 3.6V
  访问时间: 90ns
  封装类型: TSOP-II
  引脚数: 56
  工作温度: -40°C 至 +85°C
  接口类型: 并行异步接口
  读取电流: 典型值 10mA(待机模式下电流极低)
  编程/擦除电压: 内部电荷泵提供

特性

LH28F800BGHB-TTL90 是一款高性能的闪存芯片,具备优异的耐用性和数据保持能力。它采用的是NOR型闪存技术,支持随机访问和字节寻址,适合用于存储程序代码和常驻数据。该芯片内置的命令寄存器支持标准的读写操作以及高级功能,如块擦除、批量擦除和写入保护。此外,它还具备低功耗设计,在待机模式下的电流消耗极低,适合用于对功耗敏感的嵌入式系统。
  LH28F800BGHB-TTL90 的访问时间为90ns,能够满足高速数据读取需求。其2.7V至3.6V的宽电压范围使其在不同电源环境下都能稳定运行,增强了系统的兼容性。芯片内部集成了电荷泵电路,无需外部提供高电压进行编程或擦除操作,简化了系统设计。
  该芯片还支持软件保护机制,防止意外擦除或写入操作,提高系统的稳定性与安全性。同时,LH28F800BGHB-TTL90 的TSOP封装形式提供了良好的散热性能和空间节省,适用于紧凑型电子设备。

应用

LH28F800BGHB-TTL90 主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、消费类电子产品、汽车电子以及智能卡终端等需要非易失性存储器的场合。由于其高性能、低功耗和高可靠性,该芯片广泛用于需要存储固件、BIOS、启动代码或其他关键程序数据的设备中。例如,在路由器、交换机、医疗设备、POS终端以及自动化控制系统中,LH28F800BGHB-TTL90 都可以发挥其出色的性能和稳定性。

替代型号

LH28F800BJB-90T1, LH28F160BJB-90T1, AM29LV800BB-90EC, S29AL008J0TAAI030

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