GA1210Y184KBXAT31G 是一款高性能的存储芯片,主要应用于需要大容量数据存储的场景。该芯片采用先进的工艺制程,提供高速的数据传输能力和可靠的性能表现。其封装形式和接口设计能够很好地适配各种嵌入式系统及消费类电子产品的需求。
这款存储芯片具备高密度、低功耗的特点,同时支持多种标准协议,方便与主流处理器或控制器进行对接。它广泛用于固态硬盘(SSD)、USB 闪存盘、内存卡以及其他需要非易失性存储解决方案的产品中。
类型:NAND Flash
容量:128GB
接口:Toggle Mode 2.0
工作电压:1.8V / 3.3V
封装:eMMC 5.1
读取速度:250 MB/s
写入速度:120 MB/s
工作温度:-25°C 至 +85°C
数据保存时间:10年
GA1210Y184KBXAT31G 的核心优势在于其大容量存储能力以及稳定的性能输出。
1. 高密度存储:采用先进的堆叠技术,能够在较小的空间内实现超大容量的数据存储。
2. 快速传输:支持 Toggle Mode 2.0 接口协议,具有高达 250 MB/s 的读取速度和 120 MB/s 的写入速度。
3. 可靠性:内置 ECC(错误校正码)引擎,有效减少数据传输中的误码率,提升整体系统的稳定性。
4. 低功耗设计:通过优化电路结构,大幅降低芯片在运行过程中的能耗,延长设备续航时间。
5. 广泛的工作温度范围:从 -25°C 到 +85°C 的工作温度区间,使其适合各种恶劣环境下的应用需求。
GA1210Y184KBXAT31G 广泛应用于消费电子领域以及工业控制场景。
1. 消费电子产品:包括智能手机、平板电脑、智能手表等便携式设备,为用户提供高效的本地存储功能。
2. 工业自动化:可用于工业计算机、数据记录仪等设备中,确保重要数据的安全存储。
3. 嵌入式系统:适用于各类需要稳定存储功能的嵌入式产品,如网络路由器、安防摄像头等。
4. 存储外设:常见于 USB 闪存盘、SD 卡等外置存储介质中,满足用户对大容量存储的需求。
GA1210Y164KBXAT31G
GA1210Y184KCAT31G
GA1210Y184KCXT31G