时间：2025/5/7 15:14:17
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SI1908DL 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。该器件采用小型化的 SOT-23 封装，适用于空间受限的设计场景。其低导通电阻和快速开关特性使其成为便携式电子设备、电池管理电路、负载开关以及 DC/DC 转换器等应用的理想选择。
该型号 SI1908DL-T1-E3 特别优化了性能和可靠性，适合工业级或扩展温度范围的应用。
最大漏源电压：20V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.4A
导通电阻（典型值）：75mΩ
栅极电荷：6nC
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可减少功率损耗并提高效率。
2. 快速开关速度，支持高频应用。
3. 小型 SOT-23 封装，节省 PCB 空间。
4. 宽工作温度范围，适应各种恶劣环境。
5. 高雪崩耐量能力，增强了器件的鲁棒性。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
1. 手机和平板电脑中的电源管理模块。
2. 笔记本电脑和便携式设备的电池保护电路。
3. 开关电源（SMPS）和 DC/DC 转换器中的同步整流。
4. 负载开关和电机驱动控制。
5. 信号切换和保护电路。
6. 工业控制和自动化系统中的开关应用。
SI2302DS, BSS138, FDN340P
