时间：2025/5/27 19:04:51
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NTMS5838NLR2G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效能功率晶体管，专为高频、高效率和高功率密度应用而设计。该器件采用了先进的 GaN-on-Silicon 工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于 DC-DC 转换器、电机驱动器和无线充电等场景。
相比传统的硅基 MOSFET，NTMS5838NLR2G 提供了更高的工作频率和更低的损耗，从而实现了更小体积和更高效率的设计。其封装形式为 LFPAK88，支持表面贴装技术 (SMT)，非常适合自动化生产和紧凑型电路板布局。
型号：NTMS5838NLR2G
类型：增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET)
耐压：650 V
导通电阻：16 mΩ (典型值，在 Vgs=10V 时)
最大电流：120 A
栅极电荷：70 nC (典型值)
输入电容：1400 pF (典型值)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装：LFPAK88
NTMS5838NLR2G 的主要特性包括以下几点：
1. 高效性能：得益于 GaN 材料的优异特性，NTMS5838NLR2G 在高频操作下表现出较低的开关损耗和导通损耗。
2. 快速开关能力：其极低的栅极电荷和输出电荷允许以 MHz 级别的频率进行切换，适合高频电源转换。
3. 热稳定性强：能够在高达 175°C 的环境下稳定运行，确保在高温条件下的可靠性。
4. 小型化封装：采用 LFPAK88 封装，不仅节省空间，还优化了散热路径。
5. 易于驱动：与传统硅基 MOSFET 兼容的驱动电压（4V 至 10V），简化了从 MOSFET 到 GaN 的升级过程。
6. 高可靠性：通过了严格的电气和热循环测试，保证长期使用的稳定性。
NTMS5838NLR2G 广泛应用于需要高效率和高功率密度的场景中，具体应用领域包括：
1. 数据中心电源：用于高效的 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电动车辆 (EV) 和混合动力汽车 (HEV)：在车载充电器 (OBC) 和 DC-DC 转换器中发挥重要作用。
3. 消费类电子设备：如快充适配器、笔记本电脑电源适配器等。
4. 工业应用：如电机驱动、不间断电源 (UPS) 和太阳能逆变器。
5. 无线充电系统：提供高效的能量传输解决方案。
这款器件特别适合那些追求高效率、小尺寸和轻量化设计的应用场合。
NTMS5838NL2G, TPH2506PS,BF
