时间：2025/7/9 10:02:41
阅读：13
RT15N0R6A500CT 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220 封装形式。该器件适用于高效率开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要低导通电阻和高开关速度的应用场景。其出色的性能使得该芯片在功率管理领域具有广泛的应用价值。
型号：RT15N0R6A500CT
封装：TO-220
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 Vds：60V
最大栅源电压 Vgs：±20V
持续漏极电流 Id：38A（@25°C）
导通电阻 Rds(on)：4.5mΩ（典型值，@Vgs=10V）
总功耗 Ptot：160W
工作温度范围 Tj：-55°C 至 +175°C
栅极电荷 Qg：49nC
反向恢复时间 trr：33ns
RT15N0R6A500CT 具有低导通电阻，可显著降低导通损耗，从而提升整体系统效率。其快速的开关速度能够减少开关损耗，并支持高频操作。此外，该器件具备强大的电流承载能力和优异的热稳定性，能够在极端条件下保持稳定性能。
由于采用了先进的制造工艺，RT15N0R6A500CT 的动态性能和静态性能均表现优越，同时提供良好的抗雪崩能力，确保在短路或异常情况下仍然安全可靠。
此外，这款 MOSFET 的栅极驱动要求较低，易于与各种控制器配合使用，简化了电路设计流程。
RT15N0R6A500CT 广泛应用于多种功率转换和控制场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)，如适配器、充电器等；
2. 工业用 DC-DC 转换器；
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动；
4. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制；
5. 太阳能逆变器和其他新能源设备中的功率调节模块。
其高效率和可靠性使其成为这些领域的理想选择。
RT15N0R6A500P, IRFZ44N, FDP55N06L
