您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > RSS130N03FU6TB

RSS130N03FU6TB 发布时间 时间:2025/7/1 16:37:56 查看 阅读:8

RSS130N03FU6TB 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 PDFN5x6-8 封装。该开关速度的特点,适用于各种高效能开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等应用领域。
  该功率 MOSFET 的设计使其在高频开关应用中表现出色,同时其紧凑的封装形式能够有效节省电路板空间。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:19A
  导通电阻(Rds(on)):1.3mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:24nC(典型值)
  反向恢复时间:7ns(典型值)
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

RSS130N03FU6TB 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,可减少导通损耗并提高效率。
  2. 高速开关性能,适合高频开关应用。
  3. 紧凑的 PDFN5x6-8 封装有助于节省 PCB 布局空间。
  4. 支持宽广的工作温度范围,适应严苛环境条件。
  5. 内置防静电保护功能,增强可靠性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且无铅设计。

应用

RSS130N03FU6TB 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流管。
  3. 各类负载开关和保护电路。
  4. 电机驱动和逆变器控制。
  5. 电池管理系统 (BMS) 中的功率管理。
  6. 工业自动化设备中的功率切换元件。

替代型号

RSS140N03LU6TBR, RSS110N03FLU6TB

RSS130N03FU6TB推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

RSS130N03FU6TB参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.1 毫欧 @ 13A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs35nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2000pF @ 10V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)