RSS070N05TB 时间：2025/12/25 11:32:08 阅读：9

RSS070N05TB是一款由Renesas Electronics（瑞萨电子）生产的N沟道功率MOSFET，专为高效率、高密度电源转换应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极和场截止技术制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、优异的开关性能以及良好的热稳定性，适用于多种电源拓扑结构中的功率开关元件。其封装形式为小型化的PowerPAK 8x8L SMD封装，具有优良的散热能力，能够在有限的PCB空间内实现较高的功率输出。该MOSFET广泛应用于服务器电源、通信电源、DC-DC转换器、笔记本电脑适配器以及其他对能效和尺寸要求较高的工业与消费类电子产品中。由于其优化的栅极电荷特性，RSS070N05TB在高频开关条件下仍能保持较低的驱动损耗，有助于提升系统整体效率并减少对外部散热措施的需求。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备可靠的抗雪崩能力和短路耐受能力，确保在严苛工作环境下的长期稳定运行。

参数

型号：RSS070N05TB
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：50V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)@25℃：140A
　　脉冲漏极电流(IDM)：560A
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=10V：0.7mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=4.5V：0.95mΩ
　　栅极电荷(Qg)@10V：83nC
　　输入电容(Ciss)：10600pF
　　反向恢复时间(trr)：29ns
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +175℃
　　封装/外壳：PowerPAK 8x8L

特性

RSS070N05TB的核心优势在于其极低的导通电阻与出色的动态性能之间的平衡。其典型RDS(on)仅为0.7mΩ（在VGS=10V条件下），这显著降低了导通状态下的功率损耗，特别适合大电流应用场景，如同步整流和负载开关。同时，在VGS=4.5V时RDS(on)仍可维持在0.95mΩ以下，表明该器件即使在较低驱动电压下也能保持高效导通，适应现代低电压控制逻辑的需求。
　　该MOSFET采用了Renesas成熟的沟槽栅极技术和薄晶圆工艺，有效提升了单位面积的电流处理能力，并通过优化漂移区掺杂分布来降低寄生电感和电容效应。这种设计不仅增强了开关速度，还减少了开关过程中的能量损耗，从而提高了系统的开关频率上限和整体效率。此外，其Qg值仅为83nC（典型值），意味着所需的驱动电流较小，可以配合更简单的门极驱动电路，进一步降低系统成本和复杂度。
　　器件的Ciss高达10600pF，反映出较大的输入电容，虽然可能增加一定的驱动损耗，但结合其快速的开关响应和较低的反向恢复时间（trr=29ns），仍可在高频硬开关或谐振拓扑中表现出色。其最大脉冲漏极电流可达560A，展示了强大的瞬态过载能力，适合应对启动冲击或突发负载变化的情况。器件的最大工作结温可达+175℃，配合PowerPAK 8x8L封装的高效散热特性，使其能在高温环境下持续可靠运行。该封装无铅且符合环境友好型生产标准，支持自动化贴片工艺，有利于大批量生产和产品小型化。

应用

RSS070N05TB常用于各类高效率电源转换系统中，尤其适用于需要低电压、大电流输出的应用场景。典型应用包括服务器和数据中心的多相VRM（电压调节模块），其中多个此类MOSFET并联使用以满足CPU/GPU的动态供电需求；在通信设备电源中作为主开关管或同步整流管，提高转换效率并减小体积；在高功率密度DC-DC降压变换器中，凭借其低RDS(on)和良好热性能实现紧凑设计；还可用于电动工具电池管理系统、工业电机驱动中的低端开关以及UPS不间断电源等电力电子装置。
　　此外，该器件也适用于笔记本电脑适配器、平板电源、LED驱动电源等消费类电子产品中的初级或次级侧开关元件。由于其具备较强的抗雪崩能力和短路保护特性，能够在异常工况下提供更高的安全裕度，因此也被广泛用于对可靠性要求较高的工业控制和汽车辅助电源系统中。随着电源系统向更高频率、更高集成度方向发展，RSS070N05TB凭借其优越的综合性能，成为许多高端电源设计中的首选功率开关器件之一。