RFXF0007SR 是一款由 RF Micro Devices(现为 Qorvo)推出的射频(RF)开关集成电路,广泛用于无线通信系统中实现射频信号路径的切换。这款开关采用高性能的 GaAs(砷化镓)工艺制造,具有低插入损耗、高隔离度和良好的线性度,适用于多种高频应用。RFXF0007SR 采用 6 引脚 SOT-23 封装,便于集成到紧凑的 PCB 设计中。
工作频率范围:50 MHz - 4 GHz
插入损耗:典型值 0.4 dB(频率范围内的最大值 0.8 dB)
隔离度:典型值 25 dB @ 1 GHz
回波损耗:典型值 20 dB @ 1 GHz
控制电压:1.8V - 3.3V 兼容
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:SOT-23-6
RFXF0007SR 是一款单刀双掷(SPDT)射频开关,具有出色的高频性能和稳定的可靠性。其低插入损耗特性确保了射频信号在切换过程中保持最小的信号衰减,而高隔离度则有效地减少了不同信号路径之间的串扰。该器件支持宽频率范围(50 MHz 到 4 GHz),使其适用于多种无线通信标准,如 GSM、WCDMA、LTE 和 Wi-Fi 等。
该开关的控制逻辑为 CMOS 兼容,支持 1.8V 至 3.3V 的控制电压,方便与现代低电压数字控制器连接。此外,RFXF0007SR 采用 GaAs 工艺制造,具备良好的线性度和高功率处理能力,适合用于需要高可靠性的移动通信设备和基础设施应用。
由于其紧凑的 SOT-23-6 封装,RFXF0007SR 适用于空间受限的 PCB 设计,广泛用于蜂窝通信模块、无线接入点、射频测试设备以及便携式无线电设备等。
RFXF0007SR 主要用于各种射频和微波通信系统中,如蜂窝基站、无线局域网(WLAN)、Wi-Fi 路由器、蓝牙设备、射频测试仪器和工业控制系统等。其高隔离度和低插入损耗特性使其成为射频信号路径切换的理想选择。此外,该器件也适用于需要高可靠性和高性能的军事和工业通信设备,以及物联网(IoT)应用中的射频前端设计。
HMC649LC4BTR, PE42642-12, SKY13337-375LF