时间：2025/12/25 14:01:14
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RSS065N06FRA是一款由Renesas Electronics（瑞萨电子）推出的高性能N沟道功率MOSFET，专为高效率电源转换应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极工艺制造，能够在低导通电阻和快速开关特性之间实现优异的平衡，适用于多种中高功率场景。RSS065N06FRA的额定电压为60V，最大连续漏极电流可达65A，具备出色的热稳定性和可靠性，适合在高温环境下工作。其封装形式通常为TOLL（Thin Small Outline Leadless）或类似的无引线封装，有助于降低寄生电感并提升功率密度，同时改善散热性能。这款MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统、工业电源以及汽车电子系统等对能效和空间布局有严格要求的领域。由于其优化的动态参数，RSS065N06FRA在硬开关和高频软开关拓扑中均表现出色，能够有效减少开关损耗，提高整体系统效率。此外，该器件还具有良好的抗雪崩能力和坚固的栅极氧化层设计，增强了在恶劣工作条件下的鲁棒性。
型号：RSS065N06FRA
制造商：Renesas Electronics
器件类型：N沟道MOSFET
漏源电压VDS：60V
栅源电压VGS：±20V
连续漏极电流ID（@25°C）：65A
脉冲漏极电流IDM：260A
导通电阻RDS(on) max（@VGS=10V）：3.8mΩ
导通电阻RDS(on) typ（@VGS=10V）：3.2mΩ
导通电阻RDS(on) max（@VGS=4.5V）：5.0mΩ
栅极电荷Qg（typ）：45nC
输入电容Ciss（typ）：3700pF
输出电容Coss（typ）：950pF
反向恢复时间trr：15ns
阈值电压VGS(th)：2.0V ~ 3.0V
功耗PD：200W
工作结温范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TOLL
RSS065N06FRA采用瑞萨电子先进的沟槽栅极MOSFET技术，显著降低了单位面积下的导通电阻，从而实现了极低的RDS(on)，在60V等级的功率MOSFET中处于领先水平。该器件在VGS=10V时，最大RDS(on)仅为3.8mΩ，典型值低至3.2mΩ，这使得其在大电流应用中能够有效减少导通损耗，提升系统能效。
其低栅极电荷（Qg typ = 45nC）和低输入电容（Ciss = 3700pF）进一步优化了开关性能，缩短了开关时间，降低了高频工作下的开关损耗，特别适用于高频率DC-DC变换器和同步整流电路。
RSS065N06FRA具备出色的热稳定性，支持高达175°C的最大结温，确保在高温环境中仍能可靠运行。其封装采用TOLL无引脚设计，不仅减小了PCB占用面积，还通过底部裸露焊盘实现高效散热，显著提升了功率密度与热循环寿命。
该器件的反向恢复时间（trr）仅为15ns，配合优化的体二极管特性，有效减少了与互补器件之间的交叉导通风险，提高了桥式电路中的可靠性。
此外，RSS065N06FRA通过了AEC-Q101车规级认证，具备高抗雪崩能力，能够承受严苛的电气应力冲击，适用于汽车48V系统、EPS（电动助力转向）、车载充电机等关键应用场景。其坚固的栅氧结构设计也增强了对静电放电（ESD）和电压瞬变的耐受能力，提升了生产过程中的良率和长期使用的稳定性。
RSS065N06FRA广泛应用于需要高效、高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。典型应用包括各类DC-DC降压/升压转换器，特别是在服务器电源、通信电源和工业电源模块中作为主开关或同步整流器使用；在电机驱动领域，可用于电动汽车辅助系统、工业伺服驱动和无人机电调中的半桥或全桥拓扑结构；在电池管理系统（BMS）中，可作为充放电控制开关，利用其低导通电阻减少能量损耗并提升续航能力；此外，在太阳能逆变器、UPS不间断电源和数字电源系统中，RSS065N06FRA也能发挥其高频响应和低损耗优势，提高整体转换效率；得益于其AEC-Q101认证，该器件同样适用于汽车电子系统，如车载DC-DC转换器、ADAS供电模块、电动涡轮增压器控制单元等对安全性和环境适应性要求极高的场合。
IPB065N06N3,RFS065N06TR
