SM1060C 时间：2025/12/26 22:45:36 阅读：22

SM1060C是一款由圣邦微电子（SGMICRO）推出的高性能、低功耗的同步整流控制器芯片，主要用于反激式开关电源（Flyback Converter）中的同步整流控制，以替代传统的肖特基二极管，从而显著提高电源转换效率。该芯片专为高能效AC/DC适配器、充电器、电源模块等应用设计，适用于宽输入电压范围的电源系统。SM1060C通过检测功率MOSFET的漏源电压（VDS）来智能判断导通与关断时机，实现精确的同步整流控制，有效降低整流损耗，提升整体电源效率。该器件采用小型化封装，具备良好的热性能和可靠性，适用于空间受限且对效率要求较高的便携式设备电源设计。
　　SM1060C支持高侧和低侧同步整流拓扑，兼容连续导通模式（CCM）、准谐振（QR）和断续导通模式（DCM）等多种工作模式，能够适应不同负载条件下的动态变化，确保系统在全负载范围内保持高效运行。此外，该芯片内置多种保护功能，如过温保护、VDD欠压锁定（UVLO）等，增强了系统的安全性和稳定性。其高集成度和智能化控制逻辑减少了外部元器件数量，简化了电源设计流程，有助于降低整体BOM成本并提升产品可靠性。

参数

工作电压范围：4.5V ~ 20V
　　启动电流：≤30μA
　　静态工作电流：≤1.2mA
　　最大驱动能力：高端/低端同步整流MOSFET驱动
　　开关频率支持：最高可达500kHz
　　导通阈值电压（VDS_TH+）：典型值60mV
　　关断阈值电压（VDS_TH-）：典型值-30mV
　　传播延迟时间：典型值80ns
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装形式：SOT23-6 或类似小型封装

特性

SM1060C的核心特性之一是其自适应开通与关断控制机制。该芯片通过实时监测同步整流MOSFET的漏源电压（VDS），利用高精度比较器判断电感电流的流向与过零点，从而精确控制MOSFET的导通与关断时机。这种基于VDS检测的控制方式无需辅助绕组或隔离信号传输，简化了变压器设计，降低了系统复杂度。在连续导通模式（CCM）下，SM1060C能够有效避免体二极管先导通造成的反向恢复损耗；在准谐振（QR）模式下，芯片可快速响应谷底开关时序，确保MOSFET在最佳时刻导通，进一步提升效率。
　　该芯片具备出色的抗噪声干扰能力，内部集成了消隐时间（Blanking Time）控制和滤波电路，防止因电压尖峰或噪声误触发导致的误动作，保障系统稳定运行。同时，SM1060C支持高侧和低侧同步整流配置，适用于多种反激拓扑结构，具有良好的应用灵活性。其驱动输出具有图腾柱结构，能够提供较强的拉电流和灌电流能力，确保MOSFET快速开关，减少开关损耗。
　　在保护机制方面，SM1060C集成了VDD欠压锁定（UVLO）功能，当供电电压低于设定阈值时自动关闭输出，防止异常工作状态；同时具备过温保护（OTP）功能，在芯片温度过高时自动限制输出以防止损坏。此外，芯片还优化了轻载效率表现，进入打嗝模式或低功耗待机模式以降低空载损耗，满足能源之星等高能效标准要求。其小型化SOT23-6封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，适合高密度电源设计。

应用

SM1060C广泛应用于各类高效率、小体积的AC/DC电源适配器和充电器中，例如手机、平板电脑、笔记本电脑的电源适配器，以及智能家居设备、物联网终端、无线路由器等消费类电子产品电源系统。由于其支持多种工作模式并具备良好的动态响应能力，该芯片也适用于LED照明驱动电源、工业控制电源模块、USB PD电源方案等对效率和可靠性要求较高的场合。在反激式开关电源中，SM1060C用于替代次级侧的整流二极管，驱动N沟道MOSFET实现同步整流，显著降低整流环节的导通损耗，尤其在低输出电压（如5V、9V、12V）大电流应用场景下节能效果更为明显。此外，该芯片还可用于多路输出电源系统中的主路或辅路同步整流控制，提升整体转换效率。其宽输入电压范围和良好的温度适应性使其适用于全球通用输入电压（90VAC ~ 264VAC）的电源设计，满足IEC61000等电磁兼容与安全规范要求。凭借高集成度与简化外围电路的优势，SM1060C有助于缩短产品开发周期，提升电源系统的竞争力。